[发明专利]具有铁电场效应晶体管存储器阵列的设备及相关方法有效
| 申请号： | 201810147222.4 | 申请日： | 2014-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108447909B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | D·V·尼尔摩·拉玛斯瓦米;亚当·D·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有铁电场效应晶体管存储器阵列的设备及相关方法。一种设备包括：场效应晶体管FET结构，其水平地及垂直地堆叠成三维存储器阵列架构；栅极，其在所述多个FET结构之间垂直地延伸且水平地隔开；及铁电材料，其分离所述FET结构与所述栅极。个别铁电FET FeFET形成于所述FET结构、所述栅极及所述铁电材料的相交点处。另一设备包括多个位线及字线。每一位线具有与铁电材料耦合的至少两个侧，使得每一位线由相邻栅极共享以形成多个FeFET。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电场 效应 晶体管 存储器 阵列 设备 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器阵列，其包括：第一组场效应晶体管FET结构，其在第一方向上堆叠；第一铁电材料，其沿着所述第一组FET结构的第一侧定位且至少在所述第一方向上延伸以使得所述第一铁电材料由所述第一组FET结构中的每一FET结构共享；第一栅极，其沿着所述第一铁电材料相对于所述第一组FET结构而定位以使得个别铁电FET FeFET位于所述第一组FET结构、所述第一栅极和所述第一铁电材料的相交点处；第二组FET结构，其在所述第一方向上堆叠且在所述第二方向上从所述第一组FET结构偏移，所述第一栅极在所述第一组FET结构和所述第二组FET结构之间；第二铁电材料，其沿着所述第二组FET结构的第一侧定位且至少在所述第一方向上延伸以使得所述第二铁电材料由所述第二组FET结构中的每一FET结构共享；及第二栅极，其沿着所述第二铁电材料相对于所述第二组FET结构而定位以使得个别FeFET位于所述第二组FET结构、所述第二栅极和所述第二铁电材料的相交点处。
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