[发明专利]MOS工艺器件电离损伤引起的性能退化的等效评价方法有效
| 申请号： | 201810136611.7 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108345746B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李兴冀;杨剑群;刘超铭;秦兆慧 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G06F30/25 | 分类号： | G06F30/25;G06F119/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 毕雅凤 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
MOS工艺器件电离损伤引起的性能退化的等效评价方法，涉及MOS工艺器件性能退化的等效评价方法，为了满足针对不同类型辐照源的MOS工艺器件辐射损伤进行等效评价的需求。基于地面带电粒子辐照源，考虑氧化层的电场的影响对电离吸收剂量进行修正，得到修正电离吸收剂量，并确定性能退化与修正电离吸收剂量的函数关系曲线；针对特定轨道和任务要求计算该轨道下的电离吸收剂量D |
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| 搜索关键词： | mos 工艺 器件 电离 损伤 引起 性能 退化 等效 评价 方法 | ||
【主权项】：
1.MOS工艺器件电离损伤引起的性能退化的等效评价方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、基于地面带电粒子辐照源，考虑氧化层的电场的影响对电离吸收剂量进行修正，得到修正电离吸收剂量，并确定性能退化与修正电离吸收剂量的函数关系曲线；步骤二、针对特定轨道和任务要求计算该轨道下的电离吸收剂量DT，考虑氧化层的电场的影响对电离吸收剂量进行修正，得到该轨道下的修正电离吸收剂量，根据步骤一的函数关系曲线找到该轨道下的修正电离吸收剂量所对应的性能退化情况，完成对在轨MOS工艺器件的性能退化的评价。
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