[发明专利]半导体器件的制造方法及记录介质

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法及记录介质，防止设在排气系统中的涡轮分子泵的动作变得不稳定。该衬底处理装置向处理空间供给气体而对衬底进行处理，具有：在上述处理空间的上游侧使上述气体分散的缓冲空间；在将上述衬底向上述处理空间搬运时供上述衬底通过的搬运空间；与上述搬运空间连接的第1排气管；与上述缓冲空间连接的第2排气管；与上述处理空间连接的第3排气管；与上述第1排气管、上述第2排气管及上述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管；设于上述第1排气管的第1真空泵；设于上述第4排气管的第2真空泵；在上述第1排气管中设于上述第1真空泵的下游侧的第1阀；设于上述第2排气管的第2阀；以及设于上述第3排气管的第3阀。

主权项

一种半导体器件的制造方法，将在处理空间的上游侧的缓冲空间中分散的处理气体向所述处理空间供给而对衬底进行处理，该半导体器件的制造方法的特征在于，具有如下工序：(a)经由第1排气管对搬运空间的环境气体进行排气，并将所述衬底向所述处理空间搬运的工序；(b)将设于所述第1排气管的第1阀关闭的工序；(c)边经由所述缓冲空间将所述处理气体向所述处理空间供给、边经由第3排气管对所述处理空间的环境气体进行排气的工序；(d)在停止了所述处理气体的供给之后，且在将连接于所述缓冲空间的第2排气管上所设置的第2阀关闭的状态下，经由所述缓冲空间向所述处理空间供给吹扫气体，并经由所述第3排气管对所述处理空间内的环境气体进行排气的工序；以及(e)在所述(d)工序之后，在将设于所述第3排气管的第3阀关闭、将所述第2阀打开的状态下，向所述缓冲空间供给吹扫气体，并经由所述第2排气管对所述缓冲空间的环境气体进行排气的工序。