[发明专利]一种复合衬底结构在审
| 申请号： | 201810099954.0 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108281492A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 赵中阳 | 申请（专利权）人： | 北京派克贸易有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/074;H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) 11226 | 代理人： | 常玉明;张兰海 |
| 地址： | 100000 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种复合衬底结构以及该复合衬底的制作方法，通过在GaAs外延层上设置石墨烯层，通过采用该复合衬底制作光电探测器元件或光伏电池元件，可利用石墨烯与GaAs半导体构成肖特基结，光吸收层为GaAs层半导体的耗尽层，并利用石墨烯良好的光透过率和导电效率。从而可以提高采用该复合衬底所制备的光电材料以及光伏电池结构的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 衬底 衬底结构 石墨烯 半导体 光电探测器元件 光电转换效率 光伏电池元件 导电效率 光电材料 光伏电池 光透过率 光吸收层 石墨烯层 肖特基结 耗尽层 外延层 制备 制作 | ||
【主权项】：
1.一种复合衬底，具有GaAs基底结构(101)，其特征在于，在GaAs基底结构(101)上设置有本征GaAs层(2)，在本征GaAs层(2)上设置有n型GaAs层(3)，在n型GaAs层上设置有石墨烯层(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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