[发明专利]对准器结构及对准方法有效
| 申请号： | 201810085860.8 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108130521B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 曹生贤 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/04 | 分类号： | C23C16/04;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/44;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种对准器结构，以相对较大的移动尺度结束基板(S)及掩模(M)间的第1次相对移动后，以相对较小的移动尺度执行基板(S)及掩模(M)间的第2次相对移动，从而能够实现迅速而精密的基板及掩模的对齐。本发明的对准器结构作为在基板(S)表面执行薄膜沉积工序之前对准掩模(M)及基板(S)的对准器结构，包括：第1次对准部(100)，其借助于基板(S)及掩模(M)的第1相对移动，依次地第1次对准基板(S)及掩模(M)；第2次对准部(200)，其在借助于所述第1次对准部(100)的第1次对准后，借助于基板(S)及掩模(M)的第2相对移动，依次地第2次对准基板(S)及掩模(M)；所述第2相对移动的移动尺度小于所述第1相对移动的移动尺度，从而以相对较大的移动尺度结束基板(S)及掩模(M)间的第1次相对移动后，以相对较小的移动尺度执行基板(S)及掩模(M)间的第1次相对移动，从而能够实现迅速而精密的基板及掩模的对齐。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种基板对准器结构，作为在基板(S)表面执行薄膜沉积工序之前对准掩模(M)及基板(S)的基板对准器结构，其特征在于，包括：第1次对准部(100)，其借助于基板(S)及掩模(M)的第1相对移动，依次地第1次对准基板(S)及掩模(M)；第2次对准部(200)，其在借助于所述第1次对准部(100)的第1次对准后，借助于基板(S)及掩模(M)的第2相对移动，依次地第2次对准基板(S)及掩模(M)；所述第2相对移动的移动尺度小于所述第1相对移动的移动尺度。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
