[发明专利]一种显示屏制作方法及AMOLED显示屏有效
申请号: | 201810083885.4 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN108231860B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 马鑫兰;许帅;朱杰;刘海崔;王月文;胡君文;苏君海;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 解丽丽 |
地址: | 516029 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种显示屏制作方法及AMOLED显示屏。该显示屏制作方法,包括:在基板上形成缓冲层和多晶硅层;分别形成栅极金属层、存储电容金属层、第一源极漏极金属层、第二源极漏极金属层、平坦化层、阳极层及多个层间绝缘层;其中所述多个层间绝缘层分别位于所述多晶硅层、栅极金属层、存储电容金属层、第一源极漏极金属层、第二源极漏极金属层及平坦化层各层之间,所述阳极层位于所述平坦化层上;其中所述第二源极漏极金属层为整面覆盖的金属层,通过通孔与所述第一源极漏极金属层、多晶硅层和存储电容金属层连接。本发明提供的方案,能改善显示屏的发光亮度均匀性,提高AMOLED显示屏的显示效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示屏 制作方法 amoled | ||
【主权项】:
1.一种显示屏制作方法,其特征在于,包括:在基板上形成缓冲层和多晶硅层;分别形成栅极金属层、存储电容金属层、第一源极漏极金属层、第二源极漏极金属层、平坦化层、阳极层及多个层间绝缘层;其中所述多个层间绝缘层分别位于所述多晶硅层、栅极金属层、存储电容金属层、第一源极漏极金属层、第二源极漏极金属层及平坦化层各层之间,所述阳极层位于所述平坦化层上;其中所述第二源极漏极金属层为整面覆盖的金属层,通过通孔与所述第一源极漏极金属层、多晶硅层和存储电容金属层连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信利(惠州)智能显示有限公司,未经信利(惠州)智能显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810083885.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的