[发明专利]一种显示屏制作方法及AMOLED显示屏有效

专利信息
申请号: 201810083885.4 申请日: 2018-01-29
公开(公告)号: CN108231860B 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 马鑫兰;许帅;朱杰;刘海崔;王月文;胡君文;苏君海;李建华 申请(专利权)人: 信利(惠州)智能显示有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 解丽丽
地址: 516029 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种显示屏制作方法及AMOLED显示屏。该显示屏制作方法,包括:在基板上形成缓冲层和多晶硅层;分别形成栅极金属层、存储电容金属层、第一源极漏极金属层、第二源极漏极金属层、平坦化层、阳极层及多个层间绝缘层;其中所述多个层间绝缘层分别位于所述多晶硅层、栅极金属层、存储电容金属层、第一源极漏极金属层、第二源极漏极金属层及平坦化层各层之间,所述阳极层位于所述平坦化层上;其中所述第二源极漏极金属层为整面覆盖的金属层,通过通孔与所述第一源极漏极金属层、多晶硅层和存储电容金属层连接。本发明提供的方案,能改善显示屏的发光亮度均匀性,提高AMOLED显示屏的显示效果。
搜索关键词: 一种 显示屏 制作方法 amoled
【主权项】:
1.一种显示屏制作方法,其特征在于,包括:在基板上形成缓冲层和多晶硅层;分别形成栅极金属层、存储电容金属层、第一源极漏极金属层、第二源极漏极金属层、平坦化层、阳极层及多个层间绝缘层;其中所述多个层间绝缘层分别位于所述多晶硅层、栅极金属层、存储电容金属层、第一源极漏极金属层、第二源极漏极金属层及平坦化层各层之间,所述阳极层位于所述平坦化层上;其中所述第二源极漏极金属层为整面覆盖的金属层,通过通孔与所述第一源极漏极金属层、多晶硅层和存储电容金属层连接。
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