[发明专利]外延设备在审
| 申请号： | 201810058600.1 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108336000A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李国强;林宗贤;吴龙江 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种外延设备，包括：工艺腔室；位于工艺腔室中的基台，所述基台用于固定晶圆并带动所述晶圆旋转；位置检测单元，所述位置检测单元用于检测基台上的放置的晶圆是否发生偏移，并获得晶圆在基台上的偏移位置；位于基台一侧的气体供应单元，所述气体供应单元用于向工艺腔室中供应工艺气体，以在晶圆的表面形成膜层，在位置检测单元检测到基台上的晶圆存在偏移，在形成膜层时，当晶圆的偏移位置旋转到面向气体供应单元的一侧时，气体供应单元增大向工艺腔室中供应工艺气体的量。本发明的外延设备能在偏移晶圆的表面形成厚度均匀的膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 气体供应单元 工艺腔室 位置检测单元 外延设备 偏移 基台 供应工艺气体 偏移位置 膜层 表面形成膜层 表面形成 厚度均匀 检测 | ||
【主权项】：
1.一种外延设备，其特征在于，包括：工艺腔室；位于工艺腔室中的基台，所述基台用于固定晶圆并带动所述晶圆旋转；位置检测单元，所述位置检测单元用于检测基台上的放置的晶圆是否发生偏移，并获得晶圆在基台上的偏移位置；位于基台一侧的气体供应单元，所述气体供应单元用于向工艺腔室中供应工艺气体，以在晶圆的表面形成膜层，在位置检测单元检测到基台上的晶圆存在偏移，在形成膜层时，当晶圆的偏移位置旋转到面向气体供应单元的一侧时，气体供应单元增大向工艺腔室中供应工艺气体的量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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