[发明专利]光刻胶去除方法

摘要

本发明公开了一种光刻胶去除方法，包括：步骤一、在硅衬底表面形成光刻胶，光刻打开半导体器件的离子注入区域，以光刻胶为掩膜进行离子注入；步骤二、采用灰化工艺去除光刻胶，在灰化工艺中，将光刻胶分成由底部区域和顶部区域叠加而成的结构，在去除顶部区域之后，对底部区域进行去除时灰化工艺的气体采用非氧含氮气体；利用非氧含氮气体中的含氮气体去除底部区域，在去除底部区域时光刻胶残余会和硅衬底的硅相接触，利用非氧含氮气体的不含氧的特征防止氧在光刻胶残余和硅接触的条件下和硅反应形成球状缺陷。本发明能防止去胶过程中形成球状缺陷，特别能消除28nm以下的技术节点中的球状缺陷，还具有光刻胶的去除速率高以及工艺简单的优点。

主权项

1.一种光刻胶去除方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底表面形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光和显影打开半导体器件的离子注入区域，以所述光刻胶为掩膜进行离子注入；步骤二、采用灰化工艺去除所述光刻胶，在所述灰化工艺中，将所述光刻胶分成由底部区域和顶部区域叠加而成的结构，在去除所述顶部区域之后，对所述底部区域进行去除时，所述灰化工艺的气体采用非氧含氮气体，利用所述非氧含氮气体中的含氮气体去除所述底部区域，在去除所述底部区域时光刻胶残余会和所述硅衬底的硅相接触，利用所述非氧含氮气体的不含氧的特征防止氧在所述光刻胶残余和硅接触的条件下和硅反应形成球状缺陷。