[发明专利]柔性AMOLED基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种柔性AMOLED基板及其制作方法。本发明的柔性AMOLED基板的制作方法包括：形成柔性衬底，所述柔性衬底包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底上形成缓冲层，去除缓冲层上位于弯折区的部分，保留缓冲层上位于显示区的部分，使得柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度减小，提升柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性，从而提高生产良率。本发明的柔性AMOLED基板采用上述方法制得，所述柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度较小，柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性较好，生产良率高。

主权项

1.一种柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，包括：形成柔性衬底(11)，所述柔性衬底(11)包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底(11)上形成缓冲层(12)，去除缓冲层(12)上位于弯折区的部分，保留缓冲层(12)上位于显示区的部分；/n包括如下步骤：/n步骤1、提供刚性载板(10)，在所述刚性载板(10)上形成柔性衬底(11)，所述柔性衬底(11)包括显示区及位于显示区外围的弯折区；/n在所述柔性衬底(11)上形成缓冲层(12)，在所述缓冲层(12)上形成多晶硅层(13)；/n步骤2、采用一道半色调光罩制程同时对多晶硅层(13)与缓冲层(12)进行图形化处理，得到有源层(20)，并且去除缓冲层(12)上位于弯折区的部分，保留缓冲层(12)上位于显示区的部分；/n所述步骤2包括：/n步骤21、在所述多晶硅层(13)上形成光阻层(15)；/n提供半色调光罩(30)，所述半色调光罩(30)上设有第一区域(31)、第二区域(32)及除第一区域(31)与第二区域(32)以外的第三区域(33)；所述第一区域(31)对应于有源层预设位置，所述第二区域(32)对应于柔性衬底(11)的弯折区；/n步骤22、利用所述半色调光罩(30)对所述光阻层(15)进行曝光、显影，使所述光阻层(15)上对应所述半色调光罩(30)的第二区域(32)的部分完全显影掉，所述光阻层(15)上对应所述半色调光罩(30)的第三区域(33)的部分的厚度降低；/n步骤23、以所述光阻层(15)为蚀刻阻挡层，对所述多晶硅层(13)与缓冲层(12)进行蚀刻，去除所述多晶硅层(13)与缓冲层(12)对应于柔性衬底(11)的弯折区的部分；/n步骤24、对所述光阻层(15)进行灰化处理，使所述光阻层(15)上对应所述半色调光罩(30)的第三区域(33)的部分完全去除掉，所述光阻层(15)上对应所述半色调光罩(30)的第一区域(31)的部分厚度降低；/n步骤25、以所述光阻层(15)为蚀刻阻挡层，对所述多晶硅层(13)进行蚀刻，得到有源层(20)；/n步骤26、将剩余的光阻层(15)从有源层(20)上剥离掉。/n