[发明专利]一种改善闪存编程能力的方法

摘要

本发明公开了一种改善闪存编程能力的方法，包括：在晶圆衬底上依次沉积耦合氧化层、浮栅多晶硅和氮化硅阻挡层；将浮栅多晶硅上方中间部分的氮化硅阻挡层去掉，保留左右侧的氮化硅阻挡层，再对浮栅多晶硅中间的裸露部分进行斜坡蚀刻；在两阻挡层、浮栅多晶硅上沉积一层隔离层；对晶圆衬底的对应浮栅多晶硅开口处的部分进行离子掺杂形成源线下方的重掺杂区，在切断的浮栅多晶硅旁形成两侧墙，并在侧墙中间空隙中填充多晶硅后进行平坦化；在平坦化后的源线多晶硅上生长一层隔离层，除去浮栅多晶硅上左右侧的氮化硅阻挡层，以浮栅上方的氧化层和源线上的隔离层作为阻挡层对剩余的浮栅多晶硅进行蚀刻得到浮栅；优化浮栅侧壁的粗糙度，得到光滑的侧壁。

主权项

1.一种改善闪存编程能力的方法，包括如下步骤：步骤S1，在晶圆衬底(10)上依次沉积耦合氧化层(20)、浮栅多晶硅(30)和氮化硅阻挡层(40)；步骤S2，将浮栅多晶硅(30)上方中间部分的氮化硅阻挡层(40)去掉，保留左侧的氮化硅阻挡层(401)和右侧的氮化硅阻挡层(402)，再对浮栅多晶硅(30)中间的裸露部分进行斜坡蚀刻；步骤S3，在左侧的氮化硅阻挡层(401)、浮栅多晶硅(30)、右侧的氮化硅阻挡层(402)上沉积一层隔离层(50)；步骤S4，对晶圆衬底(10)的对应浮栅多晶硅(30)开口处的部分进行离子掺杂形成源线下方的重掺杂区(801)，在切断的浮栅多晶硅(30)旁形成侧墙(701)和(702)，并在侧墙(701)和(702)中间的空隙中填充多晶硅(802)后进行平坦化；步骤S5，在平坦化后的源线多晶硅(802)上生长一层SiO2隔离层(90)，除去浮栅多晶硅(30)上左侧的氮化硅阻挡层(401)和右侧的氮化硅阻挡层(402)，然后以浮栅上方的氧化层即侧墙(501)、(502)和源线上的SiO2隔离层(90)作为阻挡层对剩余的浮栅多晶硅(30)进行蚀刻得到浮栅(301)和(302)；步骤S6，优化浮栅侧壁的粗糙度，得到光滑的侧壁。