[发明专利]一种改善闪存编程能力的方法

权利要求书

1.一种改善闪存编程能力的方法，包括如下步骤：

步骤S1，在晶圆衬底(10)上依次沉积耦合氧化层(20)、浮栅多晶硅(30)和氮化硅阻挡层(40)；

步骤S2，将浮栅多晶硅(30)上方中间部分的氮化硅阻挡层(40)去掉，保留左侧的氮化硅阻挡层(401)和右侧的氮化硅阻挡层(402)，再对浮栅多晶硅(30)中间的裸露部分进行斜坡蚀刻；

步骤S3，在左侧的氮化硅阻挡层(401)、浮栅多晶硅(30)、右侧的氮化硅阻挡层(402)上沉积一层隔离层(50)，再进行自对准蚀刻，在浮栅上方形成侧墙(501，502)，并利用浮栅上方的侧墙(501，502)作为阻挡利用蚀刻将浮栅多晶硅(30)切断；

步骤S4，对晶圆衬底(10)的对应浮栅多晶硅(30)开口处的部分进行离子掺杂形成源线下方的重掺杂区(801)，在切断的浮栅多晶硅(30)旁形成侧墙(701，702)，并在浮栅多晶硅(30)旁侧墙(701，702)中间的空隙中填充多晶硅(802)后进行平坦化；

步骤S5，在平坦化后的源线多晶硅(802)上生长一层SiO₂隔离层(90)，除去浮栅多晶硅(30)上左侧的氮化硅阻挡层(401)和右侧的氮化硅阻挡层(402)，然后以浮栅上方的侧墙(501，502)和源线上的SiO₂隔离层(90)作为阻挡层对剩余的浮栅多晶硅(30)进行蚀刻得到浮栅(301，302)；

步骤S6，在获得浮栅(301，302)后，通过高温工艺使浮栅侧壁熔融，以优化浮栅侧壁的粗糙度，得到光滑的侧壁。

2.如权利要求1所述的一种改善闪存编程能力的方法，其特征在于，于步骤S6后，所述方法还包括：

步骤S7，用高温氧化物沉积的方法沉积一层高质量的隧穿氧化层(100)，该氧化层同时作为选择晶体管的栅氧化层使用。

3.如权利要求2所述的一种改善闪存编程能力的方法，其特征在于，于步骤S7后，所述方法还包括：

步骤S8，再次利用自对准工艺进行字线多晶硅的沉积和蚀刻以形成字线区WL；字线侧墙和位线将在后续工艺中与普通的CMOS器件的栅极侧墙和源漏接触孔一起形成。

4.如权利要求1所述的一种改善闪存编程能力的方法，其特征在于：于步骤S1中，用光罩定义出有源区，用浅沟槽隔离(60)进行器件隔离。

5.如权利要求1所述的一种改善闪存编程能力的方法，其特征在于：通过光刻和蚀刻工艺将浮栅多晶硅(30)上方中间部分的氮化硅阻挡层(40)去掉，保留左侧的氮化硅阻挡层(401)和右侧的氮化硅阻挡层(402)。

6.如权利要求1所述的一种改善闪存编程能力的方法，其特征在于：于步骤S2中，所述浮栅多晶硅(30)中间的裸露部分上将形成弧形凹槽。

7.如权利要求1所述的一种改善闪存编程能力的方法，其特征在于：于步骤S4中，在浮栅多晶硅(30)旁侧墙(701，702)中间的空隙中填充多晶硅(802)后用化学机械研磨工艺进行平坦化。