[发明专利]一种黑硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种黑硅太阳能电池及其制备方法，所述黑硅太阳能电池的制备方法包括：n型硅片表面黑硅层的制备；黑硅层表面的钝化处理；硼掺杂石墨烯/Spiro‑OMeTAD复合活性层的制备；n型硅片背面ZnO/PEI复合插入层的制备；ITO透明导电层的制备；正面电极的制备；背面电极的制备。通过制备硼掺杂石墨烯/Spiro‑OMeTAD复合活性层，改善复合活性层与黑硅层之间的半导体接触性能，进而提高黑硅太阳能电池的光电转换效率。

主权项

1.一种黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)n型硅片表面黑硅层的制备；(2)黑硅层表面的钝化处理；(3)硼掺杂石墨烯/Spiro‑OMeTAD复合活性层的制备，其包括：步骤3a，通过湿法转移法将硼掺杂石墨烯转移至黑硅层表面，步骤3b，接着旋涂Spiro‑OMeTAD溶液，多次重复交替执行所述步骤3a和所述步骤3b，然后进行退火处理，以形成所述硼掺杂石墨烯/Spiro‑OMeTAD复合活性层；(4)n型硅片背面ZnO/PEI复合插入层的制备；(5)在所述硼掺杂石墨烯/Spiro‑OMeTAD复合活性层的表面制备ITO透明导电层；(6)正面电极的制备；(7)背面电极的制备。