[发明专利]具有下沉接触件的晶体管器件及其制造方法在审
申请号: | 201780088387.2 | 申请日: | 2017-03-13 |
公开(公告)号: | CN110832617A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 熊育飞;杨红;M·F·奇索姆;刘运龙 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L29/45 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 孙尚白 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种器件,其包括半导体衬底(100);掩埋层(101);以及具有内壁的沟槽(128),其从埋层(101)延伸到半导体衬底(100)的表面,沟槽(128)具有侧壁、底壁、阻挡层(134)和填料,该阻挡层(134)包括覆盖侧壁和底壁的钛(Ti)层,该填料包括形成在阻挡层(134)上的一个以上的导体材料层(130、132)。 | ||
搜索关键词: | 具有 下沉 接触 晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德克萨斯仪器股份有限公司,未经德克萨斯仪器股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780088387.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:冷藏销售器具
- 下一篇:生成虚拟物体的立体配对图像的系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造