[发明专利]显示装置及电子设备有效
| 申请号： | 201780052947.9 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109643735B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;肥冢纯一;冈崎健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;闫小龙 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种新颖的显示装置。该显示装置包括像素部以及驱动该像素部的驱动电路。驱动电路包括双栅结构的第一晶体管。像素部包括单栅结构的第二晶体管及与第二晶体管电连接的像素电极。第一晶体管及第二晶体管的每一个包括被用作沟道的第一金属氧化物膜。各金属氧化物膜包括第一区域及第二区域。第一区域包含In或者Zn、以及氧。第二区域包含In或者元素M、以及氧。第一区域及第二区域以马赛克状分散或者分布。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，包括：像素部；以及驱动所述像素部的驱动电路，其中，所述驱动电路包括第一晶体管，所述像素部包括第二晶体管及与所述第二晶体管电连接的像素电极，所述第一晶体管包括第一栅电极、所述第一栅电极上的被用作沟道的第一金属氧化物膜以及所述第一金属氧化物膜上的第二栅电极，所述第一栅电极及所述第二栅电极彼此电连接，所述第二晶体管包括被用作沟道的第二金属氧化物膜，所述像素电极包括第三金属氧化物膜，所述第三金属氧化物膜包括氢浓度比所述第二金属氧化物膜高的区域，所述第一金属氧化物膜、所述第二金属氧化物膜及所述第三金属氧化物膜的每一个包括In、Zn及元素M，所述第一金属氧化物膜、所述第二金属氧化物膜及所述第三金属氧化物膜的每一个包括第一区域及第二区域，所述第一区域包括In或者Zn、以及氧，所述第二区域包括In或者所述元素M、以及氧，并且，所述第一区域及所述第二区域以马赛克状分散或者分布。
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