[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法以及图像显示装置有效
| 申请号： | 201780051514.1 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109643659B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 池田典昭;西泽诚 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G09F9/30;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786;H01L51/05 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 戚宏梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种有机薄膜晶体管及图像显示装置，在通过印刷法制造的有机薄膜晶体管中，成品率良好，特别消除了栅电极与电容器电极的短路不良，能够得到充分的电容器电极面积。有机薄膜晶体管在绝缘性的基板上至少具有栅电极、电容器电极、至少2层以上的绝缘层、以及位于绝缘层上的源电极、漏电极及含有有机半导体材料的半导体层，其中，以至少覆盖电容器电极的方式形成有第一绝缘层，在第一绝缘层上形成有栅电极，以覆盖栅电极的方式形成有第二绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 图像 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种有机薄膜晶体管，在绝缘性的基板上至少具有栅电极、电容器电极、以覆盖该栅电极及该电容器电极的方式形成的绝缘层、形成在该绝缘层上的源电极及漏电极、以及在由该源电极和该漏电极夹着的范围内含有有机半导体材料的半导体层，其中，以至少覆盖所述电容器电极的方式形成有第一绝缘层，在该第一绝缘层上形成有所述栅电极，以覆盖所述栅电极及所述电容器电极的方式形成有第二绝缘层，在该第二绝缘层上至少形成有所述源电极、漏电极及半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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