[发明专利]氟化锂在锂金属表面的沉积及使用其的锂二次电池在审
| 申请号： | 201780049655.X | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109565039A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡午秉;禹相昱;崔希源;金银卿 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01M4/1395 | 分类号： | H01M4/1395;H01M4/04;H01M4/134;H01M4/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在使用锂金属以增加锂二次电池的容量时，由于枝晶等而降低了充放电的可逆性。根据本发明的其上沉积有LiF的锂金属对于可逆性的降低具有高稳定性，由此具有高的充放电可逆性。另外，在沉积有LiF时，优点在于作为现有技术负极的锂金属本身不被消耗，锂金属电极的形状本身不会大幅改变。 | ||
| 搜索关键词： | 锂金属 可逆性 沉积 锂二次电池 充放电 负极 高稳定性 电极 氟化锂 枝晶 消耗 | ||
【主权项】：
1.一种锂金属表面的改性方法，该方法包括：1)准备锂金属；和2)在所述锂金属的表面上沉积氟化锂(LiF)。
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