[发明专利]硅晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201780042556.9 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN109478512B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 松山博行 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;C30B29/06;C30B33/02;H01L21/322 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 硅晶片的制造方法包括：培育工序，通过切克劳斯基法培育不包含COP及位错簇团的单晶硅；OSF评价工序，对从单晶硅中获取的评价晶片的OSF的产生状况进行评价；及热处理工序，当在评价晶片中存在OSF时，在1310℃以上的条件下，对从与评价晶片相同的单晶硅中获取的硅晶片进行RTO处理，当在评价晶片中不存在OSF时，在低于1310℃的条件下，对硅晶片进行RTO处理。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶片的制造方法，其特征在于，包括：培育工序，通过切克劳斯基法培育不包含COP及位错簇团的单晶硅；OSF评价工序，对从所述单晶硅中获取的评价晶片的OSF的产生状况进行评价；及热处理工序，当在所述评价晶片中存在所述OSF时，在1310℃以上的条件下，对从与所述评价晶片相同的单晶硅中获取的硅晶片进行RTO处理，当在所述评价晶片中不存在所述OSF时，在低于1310℃的条件下，对从与所述评价晶片相同的单晶硅中获取的硅晶片进行RTO处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
