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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]使用二甲基氯化铝作为源材料以产生铝离子束时的氟基分子共伴气体-CN202180069395.9在审
发明人：尼尔·科尔文;奈尔·巴森;爱德华·摩尔 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：提供了具有气态铝基离子源材料的离子注入系统、离子源和方法。气态铝基离子源材料可以是或包括二甲基氯化铝(DMAC)，其中DMAC是在室温下转变为气相的液体。离子源接收并电离气态铝基离子源材料以形成离子束。低压气瓶通过主气体管路将DMAC作为气体提供到离子源的电弧腔。分开的次气体管路将共伴气体(例如含氟分子)提供到离子源，其中共伴气体和DMAC降低了高能碳交叉污染和/或增加了双电荷铝。
使用甲基氯化铝作为材料产生离子束分子气体

[发明专利]蚀刻氮化铝或氧化铝以产生铝离子束-CN202180068072.8在审
发明人：尼尔·科尔文;奈尔·巴森;徐晓 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：提供了离子注入系统101、离子源108和方法，其中离子源配置为电离铝基离子源材料113、112并形成离子束112和包括非导电材料的副产物。蚀刻剂气体混合物具有预确定含量的氟和与离子源流体连通的稀有气体。预确定含量的氟与预确定的健康安全水平相关联，所述健康安全水平例如为氟的最大含量的约20％。蚀刻剂气体混合物可以具有含量低于约5％的氩气的共伴气。铝基离子源材料可以是陶瓷构件，例如推斥极轴、屏蔽件或所述离子源内的其他部件。
蚀刻氮化氧化铝产生离子束

[发明专利]使用氯基离子源材料时的共伴氢气-CN202180049630.6在审
发明人：尼尔·科尔文;奈尔·巴森;吴向阳 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入系统，其包括三氯化铝源材料。离子源配置为离子化所述三氯化铝源材料并形成离子束。三氯化铝源材料的离子化进一步形成包含含氯的非导电材料的副产物。引氢装置配置为将含氢的还原剂引入所述离子源。所述还原剂配置为改变所述非导电材料的化学性质，以产生挥发性气体副产物。束线总成配置为选择性地输送所述离子束，以及终端站配置为接受所述离子束以将离子注入到工件中。
使用离子源材料氢气

[发明专利]具有改良屏蔽的阶梯式间接加热阴极-CN202180043817.5在审
发明人：威廉·普拉托维;奈尔·巴森;舒·佐藤;保罗·西尔弗斯坦;马文·法利 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：用于形成一等离子体的离子源，具有阴极，该阴极具有一空腔及界定阴极阶梯的阴极表面。灯丝安置于该空腔内。一阴极屏蔽件具有至少部分地包围所述阴极表面的阴极屏蔽件表面。一阴极间隙形成于所述阴极表面与阴极屏蔽件表面之间，界定用于限制该等离子体穿过该间隙的弯曲路径。所述阴极表面可具有由第一阴极直径及第二阴极直径所界定的阶梯式圆柱形表面，该第一阴极直径及第二阴极直径彼此不同，以界定该阴极阶梯。该阶梯式圆柱形表面可为一外表面或一内表面。该第一阴极直径及第二阴极直径可为同心的或轴向偏心的。
具有改良屏蔽阶梯间接加热阴极

[发明专利]用于离子源的四极管提取设备-CN201980080219.8在审
发明人：威廉·普拉托维;爱德华·艾伊斯勒;伯·范德伯格;奈尔·巴森;迈克尔·克里斯托弗罗;约书亚·阿贝绍斯 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：一种用于离子源的电极系统，其具有在离子源腔室中限定源孔径的源电极，并且耦接至源电源。第一接地电极限定第一接地孔径，该第一接地孔径电性耦接至电接地电位且从离子源提取离子。抑制电极定位于第一接地电极的下游并且限定电性耦接至抑制电源的抑制孔径。第二接地电极定位于抑制电极的下游并且限定第二接地孔径。第一接地电极和第二接地电极固定地彼此耦接并且电性耦接至电接地电位。
用于离子源四极管提取设备

[发明专利]离子源及其操作方法-CN201480037223.3有效
发明人：科斯特尔·拜洛;大卫·P·斯波德莱;杰·舒尔;奈尔·巴森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-05-02 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提供一种离子源及其操作方法。所述离子源包括离子源腔室、配置在离子源腔室中且经设置以发射电子以产生电弧等离子体的阴极、以及经设置以将电子驱除回到电弧等离子体中的斥拒极。离子源腔室及阴极可包括耐火金属。离子源腔室还包括经设置以提供卤素物种至离子源腔室的气体源。在第一组操作条件下，反应性插件与卤素物种互相起作用以在离子源腔室中得到耐火金属的第一蚀刻速率，当离子源腔室中不配置有反应性插件时，在第一组操作条件下，离子源腔室中的耐火金属的第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。该方案除了减少离子源表面的金属蚀刻外，使用硅做为反应性插件的实施例的优点包括没有额外的金属物种从硅插件被引入至电弧等离子体中。
延长生命离子源

[发明专利]具有镓离子的离子束的产生方法及其装置-CN201380033131.3有效
发明人：科斯特尔·拜洛;奎格·钱尼;奈尔·巴森;班杰明·科伦贝亚努;丹尼斯·P·罗迪尔 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01J27/08 文献下载
摘要：本发明提供一种具有镓离子的离子束的产生方法及其装置。在一实施例中，一种具有镓离子的离子束的产生方法，其包括在等离子体腔室中提供至少部分的镓化合物靶材，此镓化合物靶材包括镓以及至少一种额外元素。具有镓离子的离子束的产生方法还包括在等离子体腔室中，使用至少一种气态物种来启动等离子体及提供气态的蚀刻物种源，以与镓化合物靶材反应，从而形成挥发性镓物种。
具有离子离子束产生方法及其装置

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