[发明专利]用于制造存储器的方法、存储器以及该存储器的应用

摘要

本发明涉及用于制造电化学存储器的方法，其特征在于如下步骤：a)提供不导电的衬底；b)将由导电材料构成的第一印制导线布置在该衬底上；c)将具有氧化还原活性分子的多孔介电层点状地布置到第一印制导线上；d)与第一印制导线正交地布置第二印制导线，其中这些印制导线在交叉点处具有电极功能，在所述电极功能之间布置介电层；e)将钝化层布置到衬底、第一印制导线、介电层和第二印制导线上，其中第一和第二印制导线在它们的交叉点处与布置在其间的介电层构造出存储器，在该存储器中，通过经由印制导线施加电压来驱动氧化还原活性分子在电极上的氧化还原反应，从而产生一个比特。公开了不同的存储器及其应用。

主权项

1.用于制造存储单元的方法其特征在于如下步骤：a) 提供不导电的衬底（1）；b) 将由导电材料构成的第一印制导线（2）布置在所述衬底上；c) 将具有氧化还原活性分子或没有氧化还原活性分子的多孔介电层（3a、3b）点状地布置到所述第一印制导线上；d) 与所述第一印制导线正交地布置第二印制导线（4），其中所述第一和第二印制导线（2、4）在它们的交叉点处具有电极功能，而且所述介电层（3a、3b）布置在电极之间；e) 将钝化层（5）布置到所述衬底、所述第一印制导线、所述介电层和所述第二印制导线上，使得所述印制导线保持能接触到；其中所述第一和所述第二印制导线在它们的交叉点处与布置在其间的介电层构造出存储器，在所述存储器中，通过经由所述印制导线施加电压来驱动所述氧化还原活性分子在所述电极上的氧化还原反应，从而产生一个存储状态。