[发明专利]圆筒型溅射靶用热挤压原材料及圆筒型溅射靶的制造方法有效
申请号: | 201780011284.6 | 申请日: | 2017-09-26 |
公开(公告)号: | CN108603285B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 大户路晓;熊谷训;樱井晶 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C22C9/00;C22C9/02;C22C9/06;C22C9/08;C22F1/08;C22F1/00 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 刁兴利;王珍仙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的圆筒型溅射靶用热挤压原材料中,铜的纯度设在99.99质量%以上且99.9995质量%以下的范围内,Al的含量设为0.5质量ppm以下,Si的含量设为1质量ppm以下,C的含量设为1质量ppm以下,O的含量设为2质量ppm以下,H的含量设为1质量ppm以下,S的含量设为5质量ppm以下,在轴线O方向的一端部、中间部及另一端部的与轴线O方向正交的3个截面上,在周向的4个位置的表层部、从表层部向径向的1/4位置、从表层部向径向的1/2位置这3个位置的共36处测定出的平均晶体粒径设在10μm以上且110μm以下的范围内,且维氏硬度设在40Hv以上且100Hv以下的范围内。 | ||
搜索关键词: | 溅射靶 圆筒型 热挤压 方向正交 晶体粒径 维氏硬度 中间部 制造 | ||
【主权项】:
1.一种圆筒型溅射靶用热挤压原材料,铜的纯度设在99.99质量%以上且99.9995质量%以下的范围内,所述圆筒型溅射靶用热挤压原材料的特征在于,Al的含量设为0.5质量ppm以下,Si的含量设为1质量ppm以下,C的含量设为1质量ppm以下,O的含量设为2质量ppm以下,H的含量设为1质量ppm以下,S的含量设为5质量ppm以下,酸不溶解残渣物的重量比为1.5质量ppm以下,且粒径为5μm以上的残渣物的数量为15000个/Cu1g以下,在轴线方向的一端部、中间部及另一端部的与所述轴线方向正交的3个截面上,在周向的4个位置的表层部、从表层部向径向的1/4位置、从表层部向径向的1/2位置这3个位置的共36处测定出的平均晶体粒径设在10μm以上且110μm以下的范围内,且维氏硬度设在40Hv以上且100Hv以下的范围内。
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