[实用新型]水冷装置及单晶硅生长炉有效
申请号: | 201721859989.7 | 申请日: | 2017-12-26 |
公开(公告)号: | CN207877929U | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 陈家骏;邹凯;曾世铭;徐由兵;田栋东 | 申请(专利权)人: | 包头市山晟新能源有限责任公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B15/00 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 阚梓瑄;王卫忠 |
地址: | 014100 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | 本实用新型提出一种水冷装置及单晶硅生长炉。本实用新型的水冷装置用于单晶硅生长炉,包括法兰盘和第一管道。法兰盘设于炉体顶部,炉盖设于法兰盘上,法兰盘设有能与外界连通的第一进水口和第一出水口。第一管道设于炉体内并沿竖直方向往复螺旋盘绕,以形成包括内层管路和外层管路的第一水套,第一管道的一端与第一进水口连通,另一端与第一出水口连通。使用本实用新型的水冷装置,能提高单晶硅的生长速度,提高产量。 | ||
搜索关键词: | 水冷装置 法兰盘 单晶硅生长炉 本实用新型 第一管道 出水口 进水口 连通 单晶硅 炉体顶部 螺旋盘绕 外层管路 外界连通 炉盖 内层 竖直 水套 体内 生长 | ||
【主权项】:
1.一种水冷装置,用于单晶硅生长炉,所述单晶硅生长炉包括炉盖和炉体,其特征在于,所述水冷装置包括:法兰盘,设于所述炉体顶部,所述炉盖设于所述法兰盘上,所述法兰盘设有能与外界连通的第一进水口和第一出水口;第一管道,设于所述炉体内并沿竖直方向螺旋盘绕,以形成供单晶硅棒伸入的第一水套,所述第一管道的一端与所述第一进水口连通,另一端与所述第一出水口连通。
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- 本发明涉及一种多晶硅铸锭炉的石墨加热器,包括:顶部加热器,包括电阻值相等的两部分及两个石墨电极,所述两个石墨电极按照将所述电阻值相等的两部分并联的方式接线;侧部加热器组件,包括围成一圈且电阻值相等的四部分及四个石墨电极,所述四个石墨电极按照将所述电阻值相等的四部分并联的方式接线。上述石墨加热器,顶部加热器和侧部加热器组件各包括阻值相等若干部分,通过石墨电极实现并联接线,能够保证顶部加热器的每一部分上的电压彼此相等,相同时间内发热量相等;及保证侧部加热器组件的每一部分的电压也彼此相等,相同时间内发热量相等,从而能够在铸锭炉内获得均匀的热场。还提出了一种具有上述加热器的多晶硅铸锭炉。
- 一种铸锭炉-201822175624.3
- 李飞龙;武泉林;黎晓峰;蒋俊峰 - 洛阳阿特斯光伏科技有限公司
- 2018-12-24 - 2019-08-20 - C30B29/06
- 本实用新型公开了一种铸锭炉,其包括坩埚、护板组件和保护圈,护板组件呈环形,护板组件围设于坩埚外周且护板组件的顶端高出于坩埚的顶端;保护圈罩设在护板组件的高出于坩埚的部分的表面上。本实用新型的铸锭炉设置有保护圈,保护圈罩设护板组件的高出于坩埚的部分的表面上,从而能够避免护板组件与坩埚内的高温蒸汽接触,能够保护护板组件、延长护板组件的使用寿命。
- 一种用于磁控直拉单晶的磁体结构及磁控直拉单晶的方法-201810298489.3
- 汤洪明;傅林坚;刘黎明;刘赛波 - 杭州慧翔电液技术开发有限公司
- 2018-03-30 - 2019-08-16 - C30B29/06
- 本发明涉及一种用于磁控直拉单晶的磁体结构及磁控直拉单晶的方法,属于半导体制造技术领域,该磁体结构包括多个串联且周向设置于单晶炉外部的线圈,所述线圈呈两两对应设置,且对应设置的两个线圈以单晶炉的中心对称,每一所述线圈包括同轴设置的主线圈和副线圈,线圈通电时,所述主线圈和所述副线圈内的电流方向相反。本发明通过将线圈设置为主线圈和副线圈,并向主线圈和副线圈通入相反方向的电流,使得副线圈产生的磁场能够有效地抵消主线圈在外部产生的磁场,通过主动屏蔽的方式减小了磁体结构的漏磁场。此外,本发明通过采用主动屏蔽的形式减少漏磁场,降低了磁体结构的重量,节省了磁体结构的制造成本。
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