[实用新型]一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板有效
| 申请号： | 201721670812.2 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN207834281U | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈锋;杨博 | 申请（专利权）人： | 西安创正新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/367;H01L23/14;H01L23/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710300 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述IGBT基板包括焊接面和散热面，所述焊接面为平面结构，所述散热面为拱形结构，所述焊接面和散热面均为铝合金层（2），所述焊接面和散热面之间包括AlSiC层（1），所述焊接面、AlSiC层（1）和散热面为一体结构；所述IGBT基板的两侧还包括半导体制冷片（5），所述半导体制冷片（5）的制冷端与所述IGBT基板的两侧贴合。本实用新型所述IGBT基板具有较高的热导率和与IGBT封装材料相匹配的热膨胀系数，散热速度快。 | ||
| 搜索关键词： | 焊接面 散热面 铝碳化硅复合材料 半导体制冷片 制备 本实用新型 热膨胀系数 拱形结构 铝合金层 平面结构 一体结构 热导率 制冷端 散热 贴合 匹配 | ||
【主权项】：
1.一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，包括焊接面和散热面，其特征在于：所述焊接面为平面结构，所述散热面为拱形结构，所述焊接面和散热面均为铝合金层(2)，所述焊接面和散热面之间包括AlSiC层(1)，所述AlSiC层(1)的底部为平面结构，顶部为拱型结构，所述AlSiC层(1)包括由碳化硅粉末(3)堆积成的均匀的多孔隙结构，且多孔隙结构的间隙填充有铝合金；所述焊接面、AlSiC层(1)和散热面为一体结构。
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