[实用新型]一种沟槽栅IGBT

摘要

本实用新型公开了一种沟槽栅IGBT，在沟槽栅IGBT的第一沟槽栅上设置一接触区，在制作隔离层时仅仅对隔离层对应该第一接触区的部分进行刻蚀挖空，而无需对隔离层对应第一沟槽栅其他区域的部分进行刻蚀挖空处理，保证第一沟槽栅的顶面边缘与沟槽栅衬底结构的表面接触部分质量较高，改善沟槽栅IGBT容易出现漏电的问题，提高其可靠性。此外，本实用新型提供的沟槽栅IGBT无需增加相邻沟槽栅之间的间距，因而沟槽栅IGBT的沟槽栅的密度可以优化为较大的密度，保证沟槽栅IGBT的饱和电流密度较高。

主权项

一种沟槽栅IGBT，其特征在于，包括：沟槽栅衬底结构，所述沟槽栅衬底结构包括漂移区和位于所述漂移区一表面的基区，以及，多个第一沟槽栅和多个第二沟槽栅贯穿所述基区延伸至所述漂移区，所述第一沟槽栅包括有第一接触区；位于所述沟槽栅衬底结构表面的隔离层，其中，所述隔离层覆盖所述第一沟槽栅和第二沟槽栅，且所述隔离层对应所述第一接触区为镂空区域；及，位于所述隔离层背离所述沟槽栅衬底结构一侧的发射极金属层，其中，所述镂空区域被所述发射极金属层所填充。