[实用新型]晶片加工装置有效
| 申请号： | 201720931332.0 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN207353224U | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李东准 | 申请（专利权）人： | EO科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 梁天彦 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示一种晶片加工装置。晶片加工装置分割在第一面形成有图案层的晶片而制成多个芯片，晶片加工装置包括：第一激光加工单元，将第一激光束照射到晶片的第一面而沿预切割线形成沟槽；第二激光加工单元，将第二激光束通过作为第一面的相反面的晶片的第二面照射到晶片的内部而沿预切割线形成改质区域；以及研磨单元，以特定深度研磨晶片的第二面。本实用新型可容易地切割形成有包括具有脆弱的特性的低介电常数物质层、与具有较大的展延性的金属层的图案层的晶片而将多个芯片准确地制成所期望的形态。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 装置 | ||
【主权项】：
1.一种晶片加工装置，其分割在第一面形成有图案层的晶片而制成多个芯片，其特征在于，包括：第一激光加工单元，将第一激光束照射到所述晶片的所述第一面而沿预切割线形成沟槽；第二激光加工单元，将第二激光束通过作为所述第一面的相反面的所述晶片的第二面照射到所述晶片的内部而沿所述预切割线形成改质区域；以及研磨单元，以特定深度研磨所述晶片的所述第二面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
