[实用新型]一种近红外VCSEL激光器的外延结构有效
| 申请号： | 201720776833.6 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN206864867U | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 张永 | 申请（专利权）人： | 张永 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/183;H01S5/32 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种近红外VCSEL激光器的外延结构，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次沉积有GaAs 缓冲层、N型掺杂的DBR、有源层、氧化限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层，所述有源层由下向上依次包括限制层，波导层、量子阱、对称波导层和对称限制层，所述量子阱由多组量子阱层组成，相邻两组量子阱层之间设有厚垒层，所述厚垒层的厚度为大于50nm。该近红外VCSEL激光器的外延结构通过在有源区量子阱中插入多层厚垒层来减小载流子的泄漏损失，提高有源区载流子的复合几率，提高有源区的微分增益，从而提高VCSEL激光器的辐射功率，同时增加了有源区光子的限制因子，提高了VCSEL激光器的响应速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 vcsel 激光器 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种近红外VCSEL激光器的外延结构，包括GaAs衬底（01），在GaAs衬底（01）上依次沉积有GaAs 缓冲层（02）、N型掺杂的DBR（ 03）、有源层（04）、氧化限制层（05）、P型掺杂的DBR（ 06）和欧姆接触层（07），所述有源层（04）由下向上依次包括限制层（10），波导层（11）、量子阱（12）、对称波导层（13）和对称限制层（14），所述量子阱（12）由多组量子阱层组成，其特征在于：相邻两组量子阱层之间设有厚垒层，所述厚垒层的厚度为大于50nm。
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