[实用新型]一种抗金属迁移的LED芯片有效
| 申请号： | 201720723480.3 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN206907786U | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 葛玉龙;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供的一种抗金属迁移的LED芯片，在电极表面形成电极粘附层，并在LED芯片表面沉积绝缘层，所述绝缘层通过所述电极粘附层与所述第一电极和所述第二电极形成连接，保护所述第一电极和所述第二电极，减少水汽渗入，延长金属迁移距离，增加LED芯片使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 迁移 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种抗金属迁移的LED芯片，包括：衬底；位于衬底表面的缓冲层和发光结构，所述发光结构包括从下往上依次排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；位于第一半导体层表面的第一电极；位于所述第二半导体层表面的透明导电层；位于所述透明导电层表面的第二电极；位于所述第一电极表面和所述第二电极表面的电极粘附层；覆盖在发光结构、透明导电层、第一电极和第二电极上的绝缘层；贯穿所述绝缘层和所述电极粘附层，在所述第一电极表面的第一孔洞，在所述第二电极表面的第二孔洞。
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