[实用新型]一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构有效
| 申请号： | 201720685929.1 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN206864866U | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 张海超;潘彦廷;罗俊岗;王兴;师宇晨;刘从军 | 申请（专利权）人： | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/30 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 712000 陕西省西安市西咸新区沣西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，包括自下而上依次设置的基板、有源层和包层，包层中设置有光栅层，激光器芯片的左右两端分别设置有抗反射镀膜层和高反射镀膜层，设定一个光栅周期包括自左向右依次设置的0.25个周期的Inp、0.5个周期的InGaAsP和0.25个周期的Inp，光栅连续排布形成光栅层，光栅层靠近高反射镀膜层一端的侧面与光栅周期零点之间的距离为0.1个光栅周期～0.25个光栅周期，在此距离范围内芯片的SMSR最大，从而提高了芯片的SMSR特性，从而大幅提高芯片良率，且此结构的工艺技术简单，稳定，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 激光器 芯片 抑制 新型 结构 | ||
【主权项】：
一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，其特征在于，包括自下而上依次设置的基板(1)、有源层(2)和包层(4)，包层(4)中设置有光栅层(3)，激光器芯片的左右两端分别设置有抗反射镀膜层(8)和高反射镀膜层(7)，设定一个光栅周期包括自左向右依次设置的0.25个周期的Inp、0.5个周期的InGaAsP和0.25个周期的Inp，光栅连续排布形成光栅层(3)，光栅层(3)靠近高反射镀膜层(7)一端的侧面与光栅周期零点之间的距离为0.1个光栅周期～0.25个光栅周期。
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