[实用新型]一种超薄AAO模板有效
| 申请号： | 201720610244.0 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN207016467U | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 郭秋泉 | 申请（专利权）人： | 深圳拓扑精膜科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00 |
| 代理公司： | 深圳茂达智联知识产权代理事务所(普通合伙)44394 | 代理人： | 夏龙 |
| 地址： | 523000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种超薄AAO模板，包括多孔层、支柱、基底、孔壁、侧孔、竖孔、边界和单元结构，所述多孔层的下端设置有支柱，且支柱与基底相连接，所述单元结构内设置有侧孔和竖孔。该超薄AAO模板，结合现在使用的超薄AAO模板进行创新设计，本超薄AAO模板在AAO模板与基底之间设置有由聚甲基丙烯酸甲酯制成的支柱，使得AAO模板能够得到很好的支撑，很好的解决了AAO模板不能够自支撑和操作不方便的问题，并且在AAO模板与基底贴合之前对基底和AAO模板进行亲水处理，很好的解决了AAO模板与基底贴合不紧的问题，在去除支柱时可以使用PMMA的丙酮溶液涂一圈，等溶剂挥发完以后，PMMA固化，从而保护AAO边缘不与水溶液接触，这样会大大降低AAO与基底脱离的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 aao 模板 | ||
【主权项】：
一种超薄AAO模板，包括多孔层（1）、支柱（2）、基底（3）、孔壁（4）、侧孔（5）、竖孔（6）、边界（7）和单元结构（8），其特征在于：所述多孔层（1）的下端设置有支柱（2），且支柱（2）与基底（3）相连接，所述孔壁（4）与竖孔（6）相连接，且其上端设置有侧孔（5），所述单元结构（8）内设置有侧孔（5）和竖孔（6），且其上设置有边界（7）。
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- 袁志山;雷鑫;王成勇 - 广东工业大学
- 2018-08-10 - 2019-01-04 - B81B1/00
- 本发明涉及微纳加工的技术领域，更具体地，涉及一种平面内纳米结构的精确可控制造方法，包括：提供一块薄膜基板，所述薄膜基板的上部设有纳米自支撑薄膜；在纳米自支撑薄膜上加工所需形状的纳米结构；将加工得到的纳米结构收缩至所需尺寸，制成纳米掩膜板；将纳米掩膜板放置于待沉积的基片上方，并在纳米掩膜板及基片上方沉积所需材料；去除纳米掩膜板，在基片上得到所需形状尺寸的纳米结构。本发明可以在纳米级单层或多层复合薄膜上加工出所需位置、形状、数量的纳米结构，适用范围广；可以将纳米结构准确收缩为所需尺寸，制成纳米掩膜板，沉积所需单层或多层复合材料；可以实现特定尺寸、形状、数量、位置的纳米图案或纳米线的可控制造。
- 一种仿瓶子草液膜快速搬运表面织构-201710307431.6
- 陈华伟;冉桐;甘杨;张毅;张德远 - 北京航空航天大学
- 2017-05-04 - 2018-12-28 - B81B1/00
- 本发明提供一种仿瓶子草液膜快速搬运表面织构，是由结构单元组成，在同一个大面积制备的一种仿瓶子草液膜快速搬运织构中周期循环分布设置结构单元；该结构单元，是由高棱与低棱组成，两个高棱之间均匀分布地插入预定个低棱，以此构成该结构单元；其中，两个高棱之间均匀分布地插入低棱的数目，是根据具体的需求而定；该高棱的宽度、高度是呈直线的棱，其具体宽度、高度的尺寸大小是根据工艺制备能力及需求而定；该低棱的宽度、高度是呈直线的棱，其具体宽度、高度的尺寸大小是根据工艺制备能力及需求而定，同时该低棱的高度低于高棱的高度。其结构简单，易于大面积制备，提高了液膜的搬运速度和液膜的搬运性能。
- 一种纳米阵列复合材料的制备方法-201811008540.9
- 肖志明;郭宗亮;魏爱香 - 广东工业大学
- 2018-08-31 - 2018-12-14 - B81B1/00
- 本发明提供了一种纳米阵列复合材料的制备方法，包括：S1)将纳米聚苯乙烯小球乳液与稀释剂混合，得到稀释液；S2)将所述稀释液在二维材料表面铺展，干燥后，得到纳米阵列模板；S3)在所述纳米阵列模板上沉积金属，除去纳米聚苯乙烯小球后，得到纳米阵列复合材料。与现有技术相比，本发明利用聚苯乙烯小球的气液界面自组装特性在二维材料表面形成纳米阵列模板，再以此为基础沉积金属，去除模板后即可得到纳米阵列复合材料，该方法简单易行，不需要昂贵的光刻设备和进行繁琐的光刻步骤。
- 一种磁场传感器和制作工艺方法-201811020543.4
- 赵晓锋;宋灿;温殿忠;张洪泉 - 黑龙江大学
- 2018-09-03 - 2018-12-11 - B81B1/00
- 本发明公开了一种磁场传感器及其制作工艺，所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2)，在所述第一硅片(1)上设置有一个呈立体结构的硅磁敏三极管，在所述第一硅片(1)和第二硅片(2)上分别设置一个聚/导磁微结构(4)，其中，所述聚/导磁微结构(4)使得非磁敏感方向的磁场聚集和传导至硅磁敏三极管的磁敏感方向，以进行测量。本发明所述的磁场传感器，结构简单，体积小，集成化程度高，其制作工艺操作方便，易于实现，适合大规模工业应用。
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