[实用新型]一种高稳定性带隙基准电压源

摘要

本实用新型提供了一种高稳定性带隙基准电压源，在复杂工作环境下为12位数模转换核心电路提供一个稳定的参考电压，其工作电压为5V，输出基准电压为2.5V；本实用新型采用双晶体管级联电路结构，将输入失调电压以外的参数值增加一倍，以减小输入失调电压在输出基准电压中的比例，提高电路的稳定性；本实用新型在双晶体管级联电路结构的基础上，采用两个低失调运算放大器构成自反馈电路，从而抑制电路噪声及电源波动对输出基准电压的影响，进而减小输入失调电压值，提高电路的抗干扰能力。

主权项

一种高稳定性带隙基准电压源，其特征在于，其包括 MOS 管 M1， MOS 管 M2，电阻 R1 至 R6，晶体管 Q1 至 Q4，低失调运算放大器 A1，低失调运算放大器 A2，基准电压输出端口 Vref；MOS 管 M1 的源极连接电源 Vdd，MOS 管 M1 的栅极连接低失调运算放大器 A1 的输出端，MOS 管 M1 的漏极连接电阻 R2 的上端；MOS 管 M2 的源极连接 MOS 管 M1 的源极，MOS 管 M2 的栅极连接低失调运算放大器 A2 的输出端，MOS 管 M2 的漏极连接电阻 R5 的上端；电阻 R1 的上端连接电阻 R5 的上端，电阻 R1 的下端连接晶体管 Q1 的基极；电阻 R2 的上端连接电阻 R3 的上端，电阻 R2 的下端连接晶体管 Q1 的发射极；电阻 R3 的上端连接 MOS 管 M1 的漏极，电阻 R3 的下端连接电阻 R4的上端；电阻 R4 的上端连接低失调运算放大器 A2 的反相输入端，电阻R4 的下端连接晶体管 Q3 的发射极；电阻 R5 的上端连接基准电压输出端口 Vref，电阻 R5 的下端连接电阻R6 的上端；电阻 R6 的上端连接低失调运算放大器 A1 的反相输入端，电阻 R6 的下端连接晶体管 Q3 的基极；低失调运算放大器 A1 的正相输入端连接晶体管 Q2 的源极，低失调运算放大器 A1 的反相输入端连接电阻 R5 的下端；低失调运算放大器 A2 的正相输入端连接晶体管 Q1 的发射极，低失调运算放大器 A2 的反相输入端连接电阻 R3 的下端；晶体管 Q1 的发射极连接电阻 R2 的下端，晶体管 Q1 的基极连接电阻R1 的下端，晶体管 Q1 的集电极接地；晶体管 Q2 的发射极连接晶体管 Q1 的基极，晶体管 Q2 的基极接地，晶体管 Q2 的集电极接地；晶体管 Q3 的发射极连接电阻 R4 的下端，晶体管 Q3 的基极连接电阻R6 的下端，晶体管 Q3 的集电极接地；晶体管 Q4 的发射极连接晶体管 Q3 的基极，晶体管 Q4 的基极接地，晶体管 Q4 的集电极接地。