[实用新型]一种可在不同衬底块同步生长的两用MOCVD衬底架托盘结构有效
申请号: | 201720575271.9 | 申请日: | 2017-05-23 |
公开(公告)号: | CN206992077U | 公开(公告)日: | 2018-02-09 |
发明(设计)人: | 宋亚峰;杨超普;曹娜;宋如普;苏淑英;宋亚光 | 申请(专利权)人: | 商洛学院;宋亚峰 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;C23C16/458 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 726000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种可在不同衬底块同步生长的两用MOCVD衬底架托盘结构,包括石墨托盘、衬底架外框片槽、衬底外框安装留槽、衬底架石墨外框、石墨衬底架、方形片槽、衬底块安装留槽、方块衬底,圆形衬底和石墨垫片,与现有技术相比,本实用新型让生长人员可以根据自己的需要,既可以将已经切割成块的衬底直接生长外延结构,也可以照传统的方法在一整块圆衬底上先生长完外延结构再切割,而且还可以将不同衬底在相同条件下生长的外延结构同时进行材料测试和器件性能测试的对比,新旧工艺非常兼容,而且很便于生长者根据实际需要选择方案生长及研究不同衬底对生长结果的影响等问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 不同 衬底 同步 生长 两用 mocvd 托盘 结构 | ||
【主权项】:
一种可在不同衬底块同步生长的两用MOCVD衬底架托盘结构,其特征在于:包括石墨托盘、衬底架外框片槽、衬底外框安装留槽、衬底架石墨外框、石墨衬底架、方形片槽、衬底块安装留槽、方块衬底,圆形衬底和石墨垫片,所述石墨托盘上设置有三个正六边形的衬底架外框片槽,所述衬底架外框片槽的边缘上设置多个所述衬底外框安装留槽,所述衬底架石墨外框为三个,三个所述衬底架石墨外框位于所述衬底架外框片槽内,所述石墨衬底架为圆形,所述石墨衬底架位于所述衬底架石墨外框内,所述石墨衬底架内的底部设置所述石墨垫片,所述石墨垫片上设置有所述圆形衬底,所述圆形衬底上设置有四个正方形的方形片槽,所述方形片槽的边缘设置所述衬底块安装留槽,所述方块衬底位于所述方形片槽内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于商洛学院;宋亚峰,未经商洛学院;宋亚峰许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720575271.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种异形元件的吸取装置
- 下一篇:集成电路芯片
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造