[实用新型]一种基于芯片级封装的发光二极管有效
| 申请号： | 201720197040.9 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN206864466U | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 梁宗文;陈宜方;陆冰睿;吴自力;孙智江 | 申请（专利权）人： | 海迪科（南通）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于芯片级封装的发光二极管，包括自下而上依次设置的倒装LED芯片、荧光胶层、透明介质层以及在透明介质层上制备的周期性纳米图形结构；所述周期性纳米图形结构的周期为10～2000 nm，高度为10～2000 nm。本实用新型的优点在于本实用新型基于芯片级封装的发光二极管，采用在发光源的出光面上制作周期性纳米图形结构，通过调整纳米图形的周期和高度，能够增加LED芯片出射光的透过率，从而能够有效地提高LED的发光效率和亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 芯片级 封装 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种基于芯片级封装的发光二极管，其特征在于：包括自下而上依次设置的倒装LED芯片、荧光胶层、透明介质层以及在透明介质层上制备的周期性纳米图形结构；所述周期性纳米图形结构的周期为10～5000nm，高度为10～5000nm。
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