[实用新型]一种DFB半导体激光器有效
申请号: | 201720051403.8 | 申请日: | 2017-01-17 |
公开(公告)号: | CN206412633U | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 薛正群;苏辉;王凌华;陈阳华;林琦;林中晞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | H01S5/12 | 分类号: | H01S5/12;H01S5/22;H01S5/343 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)11535 | 代理人: | 刘元霞,张祖萍 |
地址: | 350002 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种DFB半导体激光器,包括脊型波导激光器、光栅和探测器,其中,脊型波导激光器位于基片表面靠近出光端面的区域,光栅和探测器位于脊型波导激光器的腔外,光栅刻蚀到衬底层并靠近脊型波导激光器,探测器位于基片表面靠近背光端面的区域,并靠近光栅。本实用新型通过采用在激光器腔外单芯片集成了光栅和探测器,与常规的DFB半导体激光器相比,无需光栅的二次掩埋生长;对于器件应用来说无需外加的背光探测器芯片,能有效降低器件成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 dfb 半导体激光器 | ||
【主权项】:
一种DFB半导体激光器,其特征在于,包括:脊型波导激光器、光栅和探测器,其中,脊型波导激光器位于基片表面靠近出光端面的区域,光栅和探测器位于脊型波导激光器的腔外,光栅刻蚀到衬底层并靠近脊型波导激光器,探测器位于基片表面靠近背光端面的区域,并靠近光栅。
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