[发明专利]集成电路溅射用钽靶的制备方法在审
| 申请号： | 201711477816.3 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108193177A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 徐嘉立;欧鹏;楚增勇;吴韡;刘志宇 | 申请（专利权）人： | 株洲稀美泰材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 何耀煌 |
| 地址： | 412200 湖南省株洲市荷塘*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路溅射用钽靶的制备方法，方法包含如下步骤：制备钽锭；将获得的钽锭在锻压设备下开坯拔长，使钽锭内部晶粒初步破碎，根据靶材所需要的尺寸定尺下料，形成钽金属坯料；将钽金属坯料酸洗后，放入高真空电阻炉中热处理；将热处理后的钽金属坯料进行镦粗处理；将镦粗处理后的钽金属坯料酸洗后再次放入高真空电阻炉中热处理；将再次热处理后的钽金属坯料进行压延轧制，直到达到靶材要求的基本尺寸；将压延轧制处理后的钽金属坯料再次酸洗后，放入高真空电阻炉中进行最后一次热处理，消除钽金属坯料的内部应力，然后进行坯板校平，板面精加工得到成品靶材。通过该方法制备的靶材晶粒大小40‑100um，织构均匀，纯度为大于5N。 | ||
| 搜索关键词： | 钽金属 坯料 热处理 靶材 制备 电阻炉 高真空 放入 酸洗 钽锭 压延 晶粒 轧制 溅射 钽靶 镦粗 集成电路 次热处理 锻压设备 精加工 拔长 板面 定尺 开坯 坯板 下料 校平 织构 破碎 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路溅射用钽靶的制备方法，其特征在于方法包含如下步骤：(a)制备钽锭；(b)将获得的钽锭在锻压设备下开坯拔长，使钽锭内部晶粒初步破碎，根据靶材所需要的尺寸定尺下料，形成钽金属坯料；(c)将钽金属坯料酸洗后，放入高真空电阻炉中热处理；(d)将热处理后的钽金属坯料进行镦粗处理；(e)将镦粗处理后的钽金属坯料酸洗后再次放入高真空电阻炉中热处理；(f)将再次热处理后的钽金属坯料进行压延轧制，直到达到靶材要求的基本尺寸；(g)将压延轧制处理后的钽金属坯料再次酸洗后，放入高真空电阻炉中进行最后一次热处理，消除钽金属坯料的内部应力，然后进行坯板校平，板面精加工得到成品靶材。
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