[发明专利]一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的封装方法有效

专利信息
申请号: 201711453544.3 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN108198904B 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 张晓丹;朱世杰;黄伟;侯福华;石标;李跃龙;魏长春;丁毅;任慧志;黄茜;侯国付;陈新亮;王广才;许盛之;徐文涛;赵颖 申请(专利权)人: 南开大学;天合光能股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/048
代理公司: 12223 天津耀达律师事务所 代理人: 张耀<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的封装方法,涉及太阳电池领域。该方法是在钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池正表面,利用特殊设计的掩膜板来制备便于封装的透明电极与金电极,再使用平均透过率在89%以上的超薄玻璃或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜以及透明AB胶来对钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池进行封装,最大程度地保证了密封性,使得钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的稳定性得到明显的提升,且方法简单,易于实施。
搜索关键词: 叠层太阳电池 硅异质结 钙钛矿 封装 聚对苯二甲酸乙二醇酯 最大程度地 超薄玻璃 透明AB胶 透明电极 金电极 密封性 透过率 掩膜板 再使用 正表面 制备 保证
【主权项】:
1.一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的封装方法,该方法步骤包括:/n在长有隧穿复合层的硅底电池上依次沉积透明导电ITO薄膜、钙钛矿太阳电池的电子传输层SnO2、钙钛矿光吸收层和空穴传输层Spiro-OMeTAD;/n在空穴传输层上利用掩膜板依次蒸发制备MoO3薄膜、溅射制备透明导电ITO薄膜,MoO3薄膜和ITO薄膜构成的双层膜结构作为透明电极;该掩膜板是在2cm×2cm的不锈钢板中心区域存在3个0.4cm×1cm的镂空部分;/n在透明导电ITO薄膜上利用掩膜板蒸发制备MoO3薄膜,作为绝缘层;该掩膜板是2cm×2cm的不锈钢板中心区域存在3个0.4cm×0.5cm的镂空部分;/n在MoO3薄膜上利用掩膜板蒸发制备金电极;该掩膜板是2cm×2cm的不锈钢板中心区域存在3个0.4cm×0.56cm的长条镂空部分以及栅线宽度为0.04cm的“门”字型栅线镂空部分;/n在钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池正表面有效面积区域覆盖超薄透明玻璃或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜;/n用透明的AB胶将超薄透明玻璃或者PET膜四周紧密封上,得到封装好的电池。/n
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