[发明专利]一种减少设计面积的动态随机存储器单元及其制造方法

摘要

本发明提供了一种减少设计面积的动态随机存储器单元及其制造方法，应用于半导体存储装置制造领域，其中，每一所述动态随机存储器单元包括一晶体管、一电容器，所述晶体管的栅电极于字线电压的控制下导通位线与所述电容器之间的传送通道；每一对所述动态随机存储器单元通过以下步骤制备：于一半导体基板上形成水平方向扩张的面板；于所述面板两侧形成一所述晶体管的栅电极；于所述面板上方一预定位置形成与所述位线产生电连接的位线连接口；于所述栅电极的一侧形成所述电容器，所述电容器与所述传送通道产生电连接；有益效果：通过共用面板和位线连接口的方式减小动态随机存储器单元的设计面积。 1

主权项

1.一种减少设计面积的动态随机存储器单元的制造方法，应用于半导体存储装置制造领域，其特征在于，每一所述动态随机存储器单元包括一晶体管、一电容器，所述晶体管的栅电极于字线电压的控制下导通位线与所述电容器之间的传送通道；每一对所述动态随机存储器单元通过以下步骤制备：

步骤S1，于一半导体基板上形成水平方向扩张的面板；

步骤S2，于所述面板两侧形成一所述晶体管的栅电极；

步骤S3，于所述面板上方一预定位置形成与所述位线产生电连接的位线连接口；

步骤S4，于所述栅电极的一侧形成所述电容器，所述电容器与所述传送通道产生电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中形成所述面板的方法包括以下步骤：

步骤S11，于所述半导体基板表面依次淀积一第一氧化层和一第一绝缘层；

步骤S12，于所述第一绝缘层表面淀积一第一掩膜层，图案化所述第一掩膜层，于一预定位置形成工艺窗口；

步骤S13，通过所述第一掩膜层对所述第一绝缘层、所述第一氧化层和所述半导体基板进行刻蚀，停留于所述半导体基板中一预定深度，形成分离沟；

步骤S14，去除所述第一掩膜层，于所述第一绝缘层表面形成一第二掩膜层，图案化所述第二掩膜层，于一预定位置形成工艺窗口；

步骤S15，通过所述第二掩膜层对所述第一绝缘层、所述第一氧化层和所述半导体基板进行刻蚀，停留于所述半导体基板中一预定深度，形成所述面板。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中形成栅电极的方法包括以下步骤：

步骤S21，去除所述第二掩膜层，对所述半导体基板和所述面板表面进行离子注入，形成所述传送通道；

步骤S22，于所述半导体基板和所述面板表面形成一第二氧化层和一第一传导层；

步骤S23，对所述第一传导层进行刻蚀，形成所述栅电极。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述位线连接口的方法包括以下步骤：

步骤S31，于所述栅电极表面、所述第二氧化层表面形成一第三氧化层；

步骤S32，平坦化所述第三氧化层，停留于所述第一绝缘层表面；

步骤S33，去除所述第一绝缘层和所述第一氧化层，形成一凹槽结构；

步骤S34，于所述凹槽结构侧壁上淀积一第四氧化层；

步骤S35，于所述第四氧化层表面淀积一第二传导层；

步骤S36，平坦化所述第二传导层，停留于所述第三氧化层表面，形成所述位线连接口。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤S4中形成电容器的方法包括以下步骤：

步骤S41，于所述位线连接口表面和所述第三氧化层表面形成一第二绝缘层、一第三掩膜层，图案化所述第三掩膜层，于一预定位置形成工艺窗口；

步骤S42，通过所述第三掩膜层对所述第二绝缘层进行刻蚀，贯通所述第二绝缘层、所述第三氧化层和所述第二氧化层，停留至所述半导体基底表面；

步骤S43，于所述半导体基底上方淀积一第二传导层；

步骤S44，平坦化所述第二传导层，至露出所述第二绝缘层，形成电容器连接口；

步骤S45，于所述电容器连接口上方形成所述电容器。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述传送通道高于所述半导体基板。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅电极至少一部分被硅化。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅电极至少一部分由钨或钛组成。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述传送通道包括垂直方向的成分和水平方向的成分。

10.一种减少设计面积的动态随机存储器单元，其特征在于，包括：

一硅基底，所述硅基底上形成有一面板；

一分离沟，设置于所述硅基底内部；

一位线连接口，设置于所述面板上方，与一位线相连接；

传送通道，覆盖于所述硅基底表面和所述面板两侧；

栅电极，设置于所述硅基底与所述面板夹角处的所述传送通道上；

电容器，设置于所述硅基底上方，通过电容器连接口与所述传送通道相连。