[发明专利]基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法有效
| 申请号： | 201711406516.6 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108257891B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 井上正史;田中孝佳;岩田智巳;谷口宽树;新庄淳一;高桥弘明;樋口鲇美;大迹明;中野佑太 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用紫外线进行多个处理也能抑制尺寸增加的基板处理装置。基板处理装置具有紫外线照射装置(2)和基板保持装置(31、32)。紫外线照射装置2位于处理室(11、12)的边界，并且能够向处理室(11、12)照射紫外线。基板保持装置31配置于处理室(11)，将基板保持成与紫外线照射装置(2)对置。基板保持装置(32)配置于处理室(12)，将基板保持成与紫外线照射装置(2)对置。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 系统 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，具备：紫外线照射装置，位于第一处理室和第二处理室的边界，并且能够向所述第一处理室和所述第二处理室照射紫外线；第一基板保持装置，配置于所述第一处理室，将基板保持成与所述紫外线照射装置对置；以及第二基板保持装置，配置于所述第二处理室，将基板保持成与所述紫外线照射装置对置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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