[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和基板处理系统有效
申请号: | 201711404713.4 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108257890B | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 井上正史;泷昭彦;谷口宽树;田中孝佳;中野佑太 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/311 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种在更短时间内将基板和紫外线照射器之间的空间的环境气体变为规定的环境气体的基板处理装置。基板处理装置(10)具备基板保持台(1)、紫外线照射机构(2)、筒构件(3)和气体供给机构(41、42)。紫外线照射机构以隔着作用空间(H1)与基板(W1)相对的方式配置,并向基板照射紫外线。筒构件具有包围基板保持台的侧表面1b)的内表面(3a),在内表面中的与侧表面相对的至少一个位置上具有至少一个开口部(31a)。气体供给机构(42)经由至少一个开口部,向基板保持台(1)的侧表面(1b)和筒构件(3)的内表面(3a)之间的空间供给气体。气体供给机构(41)向基板和紫外线照射机构(2)之间的作用空间(H1)供给气体。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其中,具备:基板保持台,具有载置基板的第一上表面和侧表面;紫外线照射机构,以隔着作用空间与基板相对的方式配置,并向基板照射紫外线;筒构件,具有包围所述基板保持台的所述侧表面的内表面,在所述内表面中的与所述基板保持台的所述侧表面相对的至少一个位置上具有至少一个侧方开口部;第一气体供给机构,经由至少一个所述侧方开口部,向所述基板保持台的所述侧表面和所述筒构件的所述内表面之间的空间供给气体;以及第二气体供给机构,向所述基板和所述紫外线照射机构之间的所述作用空间供给气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711404713.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造