[发明专利]垂直型双色LED芯片的制备方法及芯片在审
| 申请号： | 201711383452.2 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107994111A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/52 | 分类号： | H01L33/52;H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及垂直型双色LED芯片的制备方法，包括(a)制作衬底；(b)在所述衬底上制备蓝光材料；(c)在所述衬底上制备绿光灯芯槽并在所述绿光灯芯槽内生长绿光材料；(d)在所述蓝光材料、所述绿光材料上制备键合层；(e)去除所述衬底并制备上电极；(f)在所述键合层底部制备下电极。本发明的垂直型双色LED芯片的制备方法将蓝光和绿光材料制作在相同衬底之上，通过隔离层实现完全的电学隔离，工艺简单，且制备的双色LED芯片散热型好，可单独控制各颜色的灯芯材料，光强大，颜色调节灵活，集成度高。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 型双色 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直型双色LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：(a)制作衬底；(b)在所述衬底上制备蓝光材料；(c)在所述衬底上制备绿光灯芯槽并在所述绿光灯芯槽内生长绿光材料；(d)在所述蓝光材料、所述绿光材料上制备键合层；(e)去除所述衬底并制备上电极；(f)在所述键合层底部制备下电极。
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