[发明专利]基板处理设备有效
申请号: | 201711376999.X | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN108206151B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 金永勋;韩镕圭;金大渊;张显秀;李政镐 | 申请(专利权)人: | ASM知识产权私人控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种具有改进的均匀性和反应速度的基板处理设备。一种基板处理设备,包括:主体部分,其包括排放路径;气体供应单元,其连接到所述主体部分;第一分隔件,其从所述主体部分延伸;第二分隔件,其从所述主体部分延伸,并且布置在所述气体供应单元与所述第一分隔件之间;以及基板支撑单元,其被构造为与所述第一分隔件表面密封,其中所述第一分隔件和所述第二分隔件之间的第一区域以及所述气体供应单元和所述第二分隔件之间的第二区域连接到所述排放路径。 | ||
搜索关键词: | 处理 设备 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理设备,包括:包括排放路径的主体部分;连接到所述主体部分的气体供应单元;从所述主体部分延伸的第一分隔件;第二分隔件,所述第二分隔件从所述主体部分延伸并且布置在所述气体供应单元与所述第一分隔件之间;以及被构造为与所述第一分隔件表面密封的基板支撑单元,其中,所述第一分隔件与所述第二分隔件之间的第一区域以及所述气体供应单元与所述第二分隔件之间的第二区域连接到所述排放路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造