[发明专利]基板处理设备有效
申请号: | 201711376999.X | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN108206151B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 金永勋;韩镕圭;金大渊;张显秀;李政镐 | 申请(专利权)人: | ASM知识产权私人控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 | ||
1.一种基板处理设备,包括:
包括排放路径的主体部分;
连接到所述主体部分的气体供应单元;
从所述主体部分延伸的第一分隔件;
第二分隔件,所述第二分隔件从所述主体部分延伸并且布置在所述气体供应单元与所述第一分隔件之间;以及
被构造为与所述第一分隔件表面密封的基板支撑单元,
其中所述第二分隔件被构造为在所述基板支撑单元与所述第一分隔件表面密封时保持与基板支撑单元的非接触状态,
其中所述第一分隔件与所述第二分隔件之间的第一区域以及所述气体供应单元与所述第二分隔件之间的第二区域连接到所述排放路径,
其中所述主体部分还包括:
在所述第一分隔件和所述第二分隔件之间延伸的第一向上排放通道,所述第一向上排放通道将位于所述第一分隔件与所述第二分隔件之间的所述第一区域与位于所述气体供应单元上方的所述排放路径连接,
其中所述第一向上排放通道通过贯穿所述主体部分的第一排放孔与所述排放路径连通,
在所述气体供应单元和所述第二分隔件之间延伸的第二向上排放通道,所述第二向上排放通道将位于所述气体供应单元和所述第二分隔件之间的第二区域与位于所述气体供应单元上方的所述排放路径连接,
其中所述第二向上排放通道通过贯穿所述主体部分的第二排放孔与所述排放路径连通,
其中所述第一向上排放通道和所述第二向上排放通道两者被布置在所述基板支撑单元上方,并且
其中所述第二分隔件被固定至所述主体部分,并且在所述第一向上排放通道和所述第二向上排放通道之间延伸,
其中所述基板处理设备被配置成使气体从所述气体供应单元与所述基板支撑单元之间的反应空间流向所述第一区域和所述第二区域二者。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备,
其中当所述第二分隔件被保持在与所述基板支撑单元的非接触状态时,在所述第二分隔件与所述基板支撑单元之间形成第一间隙,
其中,在所述第二分隔件与所述气体供应单元之间形成有第二间隙,
其中所述第一间隙中的气体向上排放通过所述第一向上排放通道,并且
其中所述第二间隙中的气体向上排放通过所述第二向上排放通道。
3.根据权利要求1所述的基板处理设备,
其中所述第一分隔件从所述主体部分突出穿过所述基板支撑单元,并且
其中所述第二分隔件从所述主体部分朝向所述基板支撑单元突出。
4.根据权利要求1所述的基板处理设备,还包括布置在所述气体供应单元上的绝缘板,
其中所述第二区域经由所述绝缘板与所述主体部分之间的空间与所述第二向上排放通道连通。
5.根据权利要求4所述的基板处理设备,其中,围绕所述绝缘板的边缘形成所述第二向上排放通道。
6.根据权利要求5所述的基板处理设备,其中,所述绝缘板的所述边缘包括凹陷表面,并且
所述第二区域经由所述凹陷表面与所述主体部分之间的空间与所述第二向上排放通道连通。
7.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,从所述第二区域到所述第二向上排放通道的路径的方向改变至少两次。
8.根据权利要求1所述的基板处理设备,还包括控制器,所述控制器被构造成执行一个周期至少一次,所述周期包括供应第一气体的第一步骤和供应第二气体的第二步骤。
9.根据权利要求1所述的基板处理设备,还包括控制器,所述控制器被构造为多次执行一个周期,所述周期包括供应源气体的第一步骤,清除所述源气体的第二步骤,供应反应气体的第三步骤,以及清除所述反应气体的第四步骤。
10.根据权利要求9所述的基板处理设备,其中,通过所述第一区域的所述第一排放孔和所述第二区域的所述第二排放孔向所述排放路径分配和排放所述源气体和所述反应气体中的每一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造