[发明专利]晶圆加工机的二次整平设备在审
申请号: | 201711328992.0 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN109920719A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 邱瑞良 | 申请(专利权)人: | 大量科技(涟水)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;李林 |
地址: | 223400 江苏省淮*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆加工机的二次整平设备,具有初次均吸装置及二次平整吸附装置,初次均吸装置具有平均吸附组成及感知移动组成,二次平整吸附装置具有受压平坦面、退避空间,及设于受压平坦面上的复数吸力孔,平均吸附组成的复数独立空心柱受感知移动组成带动接触并吸附晶圆后,各自独立升降位移调整对晶圆产生初次整平作用,再同步位移至退避空间内,使晶圆靠近受压平坦面,受分布密度较高的复数吸力孔吸附定位于受压平坦面上,让晶圆经过二次整平后更趋近于平整,且不易磨损、损坏晶圆,并适用于各种翘曲形状的晶圆,使晶圆的加工更加顺利。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 受压 复数 吸附 吸力 平整 吸附装置 整平设备 平坦面 退避 整平 感知 平坦 独立升降 晶圆加工 位移调整 吸附定位 加工机 空心柱 再同步 移动 翘曲 种晶 磨损 加工 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆加工机的二次整平设备,其特征是包含有初次均吸装置以及二次平整吸附装置,该初次均吸装置具有平均吸附组成以及感知移动组成,平均吸附组成具有复数独立空心柱,感知移动组成用于驱动复数独立空心柱位移,而二次平整吸附装置具有一受压平坦面以及退避空间,且受压平坦面上密集布设有复数吸力孔,前述初次均吸装置的复数独立空心柱受感知移动组成带动各自独立与晶圆接触后,吸附晶圆并位移调整至复数独立空心柱末端与受压平坦面等距,对晶圆产生初次整平作用,再同步位移进入退避空间内,使晶圆靠近受压平坦面,受复数吸力孔吸附定位于受压平坦面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造