[发明专利]全包围栅场效应晶体管及其制造方法

摘要

本申请公开了一种全包围栅场效应晶体管及其制造方法。方法包括：在衬底上形成第一鳍片结构，其包括第一叠层结构，第一叠层结构由下向上依次包括牺牲层、支撑层和沟道层；形成横跨第一鳍片结构的伪栅结构，其包括伪栅电介质层及其上的伪栅和伪栅侧面的第一间隔物；去除第一鳍片结构位于伪栅结构两侧的部分以形成第二鳍片结构；对第二鳍片结构中的牺牲层的侧面进行第一刻蚀以形成第一空间；在第一空间中形成第二间隔物；对第二鳍片结构中的沟道层的侧面进行第二刻蚀以形成第二空间；对第二鳍片结构中的沟道层的侧面进行选择性外延以形成源区和漏区；在沿着沟道的方向上，与第二间隔物背离牺牲层的侧面相比，第二刻蚀后的沟道层的侧面更靠近牺牲层。

主权项

1.一种全包围栅场效应晶体管的制造方法，包括：在衬底上形成第一鳍片结构，所述第一鳍片结构包括一个或堆叠的多个第一叠层结构，所述第一叠层结构由下向上依次包括牺牲层、支撑层和沟道层；形成横跨所述第一鳍片结构的伪栅结构，所述伪栅结构包括在所述第一鳍片结构的表面上的伪栅电介质层、在所述伪栅电介质层上的伪栅、以及在所述伪栅侧面的第一间隔物；去除所述第一鳍片结构位于所述伪栅结构两侧的部分，以形成第二鳍片结构；对所述第二鳍片结构中的牺牲层的侧面进行第一刻蚀，以形成第一空间；在所述第一空间中形成第二间隔物；对所述第二鳍片结构中的沟道层的侧面进行第二刻蚀，以形成第二空间；在形成所述第二空间之后，对所述第二鳍片结构中的沟道层的侧面进行选择性外延，以形成源区和漏区；其中，在沿着沟道的方向上，与所述第二间隔物背离所述牺牲层的侧面相比，第二刻蚀后的沟道层的侧面更靠近所述牺牲层。