[发明专利]微发光二极管及其转移方法有效
| 申请号： | 201711306978.0 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108231968B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 吴政;李佳恩;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了微发光二极管及其转移方法，提供顶面具有孔洞的微发光二极管芯粒，在芯粒的侧面和底面镀上牺牲层，芯粒通过牺牲层与键合层固定，芯粒再通过键合层键合到临时基板上，设置分别连接键合层和芯粒的桥结构，消耗掉牺牲层，形成转移装置。转移膜通过挤压孔洞，施加给芯粒一个相对于桥结构的扭矩，在扭矩作用下，芯粒与桥脱离，通过转移膜固定芯粒进行转移。 | ||
| 搜索关键词： | 芯粒 微发光二极管 牺牲层 孔洞 键合层 桥结构 转移膜 连接键合 临时基板 扭矩作用 转移装置 固定芯 底面 顶面 键合 挤压 施加 侧面 消耗 脱离 | ||
【主权项】：
1.微发光装置，包括：/n微发光二极管，微发光二极管具有外延叠层，依次包含第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，微发光二极管具有相对的第一表面和第二表面，/n第一电极，与第一类型半导体层连接，/n第二电极，与第二类型半导体层连接，/n第一表面具有孔洞或槽体，孔洞或槽体开口大小面积为第一表面面积的30%～50%；/n具有凹槽的键合层；/n连接键合层凹槽开口边缘与微发光二极管第一表面的桥结构；/n微发光二极管与键合层之间存在间隙。/n
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