[发明专利]离子注入机束流均匀性的监控方法在审
| 申请号： | 201711241753.1 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108054118A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李楠;姚雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种离子注入机束流均匀性的监控方法，用于对离子束电流在10mA‑25mA之间的离子注入机束流的均匀性进行监控，包括：提供一晶圆；对所述晶圆进行离子注入，以形成测试晶圆；对所述测试晶圆进行破坏值量测；根据所述破坏值的均匀性判断所述离子注入机束流的均匀性是否满足控制要求。若所述离子注入机束流的均匀性满足控制要求，则判定所述离子注入机状况正常，适用于进行离子注入，可进行产品的批量生产；若不满足，则判定所述离子注入机状况异常，不适用于进行离子注入，不可进行产品的批量生产。本发明提供的离子注入机束流均匀性的监控方法简单有效，提高了产品的良率，避免了批量不良品的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 机束流 均匀 监控 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入机束流均匀性的监控方法，其特征在于，包括：提供一晶圆；对所述晶圆进行炉管退火；对所述晶圆进行离子注入，以形成测试晶圆；对所述测试晶圆进行破坏值量测；根据所述破坏值的均匀性判断所述离子注入机束流的均匀性是否满足控制要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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