[发明专利]离子注入机束流均匀性的监控方法在审
| 申请号： | 201711241753.1 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108054118A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李楠;姚雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 注入 机束流 均匀 监控 方法 | ||
1.一种离子注入机束流均匀性的监控方法，其特征在于，包括：
提供一晶圆；
对所述晶圆进行炉管退火；
对所述晶圆进行离子注入，以形成测试晶圆；
对所述测试晶圆进行破坏值量测；
根据所述破坏值的均匀性判断所述离子注入机束流的均匀性是否满足控制要求。
2.如权利要求1所述的离子注入机束流均匀性的监控方法，其特征在于，当所述破坏值是均匀的，所述离子注入机束流也是均匀的；当所述破坏值是非均匀的，所述离子注入机束流也是非均匀的。
3.如权利要求1所述的离子注入机束流均匀性的监控方法，其特征在于，所述离子注入机的离子束电流在10mA-25mA之间。
4.如权利要求1所述的离子注入机束流均匀性的监控方法，其特征在于，对所述测试晶圆进行破坏值量测的方法包括：采用热波量测仪量测所述测试晶圆同一深度的多个热波值。
5.如权利要求4所述的离子注入机束流均匀性的监控方法，其特征在于，量测多组不同深度的热波值。
6.如权利要求1所述的离子注入机束流均匀性的监控方法，其特征在于，对所述晶圆注入的离子包括砷离子、磷离子、硼离子和砷离子中的至少一种。
7.如权利要求6所述的离子注入机束流均匀性的监控方法，其特征在于，所述注入的离子的注入浓度包括1E13/cm
8.如权利要求7所述的离子注入机束流均匀性的监控方法，其特征在于，所述注入的离子的注入能量包括0.5KeV-80KeV。
9.如权利要求7所述的离子注入机束流均匀性的监控方法，其特征在于，所述离子注入机的聚焦电压包括0-6KV。
10.如权利要求1所述的离子注入机束流均匀性的监控方法，其特征在于，所述晶圆的材料包括P型硅片和N型硅片。
11.如权利要求1所述的离子注入机束流均匀性的监控方法，其特征在于，对所述晶圆进行离子注入，以形成测试晶圆之前，所述离子注入机束流均匀性的监控方法还包括：对所述晶圆进行湿法清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
