[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号: | 201711240829.9 | 申请日: | 2017-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN108206149B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
| 发明(设计)人: | 安田周一;岩尾通矩;菊本宪幸;佐佐木光敏 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B01F3/04;B01F5/04 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明提供抑制基板处理装置大型化,并且降低处理液中的去除对象气体的溶解浓度的技术。基板处理装置(100)具备多个基板处理部(20)和处理液系统(30)。基板处理部具备保持基板(W)的基板保持部(21)和向基板保持部保持的基板喷出处理液的喷出喷嘴(23)。处理液系统具备在内部贮存处理液的贮存槽(31)、与贮存槽连接并形成有使向喷出喷嘴供给的处理液通过的供给通路的供给配管部(320)、与贮存槽连接并形成有使通过了供给配管部的处理液返回贮存槽的返回通路(322P)的返回配管部(322)、向返回配管部的返回通路内供给与溶解于处理液中的氧气不同的氮气的气体供给部(60)。 | ||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,用于向基板供给处理液来对所述基板进行处理,其具备:基板保持部,保持基板;喷出喷嘴,向所述基板保持部保持的所述基板喷出所述处理液;贮存槽,在内部贮存所述处理液;供给配管部,与所述贮存槽连接,形成使向所述喷出喷嘴供给的所述处理液通过的供给通路;返回配管部,与所述贮存槽连接,形成使通过了所述供给配管部的所述处理液返回所述贮存槽的返回通路;以及气体供给部,向所述返回配管部的所述返回通路内供给与在所述处理液中溶解的去除对象气体不同的添加气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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