[发明专利]集成电路及存储器阵列中的被选存储单元的写入方法有效
| 申请号： | 201711231878.6 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109493904B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;简维志 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种集成电路，包含存储器阵列，存储器阵列包含多个存储单元，存储单元配置在多条第一存取线及多条第二存取线的对应的交叉点处。被选存储单元具有设置状态的第一阈值电压Vth(S)及复位状态的第二阈值电压Vth(R)。控制电路被配置以在写入期间施加写入电压Vw至被选第一存取线，在读取操作期间施加读取电压Vr至被选第一存取线，且在写入及读取操作期间施加相同的抑制电压Vu至未被选第一及第二存取线，其中 |
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| 搜索关键词： | 集成电路 存储器 阵列 中的 存储 单元 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：多个存储单元，配置在多条第一存取线及多条第二存取线的交叉点处，该多个存储单元中的一被选存储单元连接至一被选第一存取线及一被选第二存取线，当该被选存储单元在一设置状态时具有一第一阈值电压Vth(S)，当该被选存储单元在一复位状态时具有一第二阈值电压Vth(R)；以及控制电路，被配置以在一写入操作期间施加一写入电压Vw至该被选存储单元的该被选第一存取线，被配置以在一读取操作期间施加一读取电压Vr至该被选存储单元的该被选第一存取线，被配置以在该写入操作及该读取操作期间施加相同的一抑制电压Vu至未被选的该些第一存取线，其中1/2Vw＞Vu＞Vw‑Vth(S)。
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