[发明专利]集成电路和用于制造集成电路的方法

摘要

本申请公开了集成电路和用于制造集成电路的方法。提供了具有阻挡层的凸块结构以及用于制造凸块结构的方法。在一些实施例中，凸块结构包括导电衬垫、导电凸块和阻挡层。导电衬垫包括衬垫材料。导电凸块叠加在导电衬垫上，并且包括下凸块层和覆盖下凸块层的上凸块层。阻挡层被配置为阻止衬垫材料沿着下凸块层的侧壁从导电衬垫移动到上凸块层。在一些实施例中，阻挡层是形成下凸块层的侧壁的衬里的间隔件。在其他实施例中，阻挡层位于下凸块层和导电衬垫之间，并且将下凸块层的侧壁与导电衬垫间隔开。

主权项

1.一种集成电路，包括：

包括衬垫材料的导电衬垫；

叠加在所述导电衬垫上的导电凸块，其中所述导电凸块包括第一凸块层和覆盖所述第一凸块层的第二凸块层；以及

阻挡层，所述阻挡层被配置为阻止所述衬垫材料沿着所述第一凸块层的侧壁从所述导电衬垫移动到所述第二凸块层。

2.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述阻挡层位于所述导电凸块和所述导电衬垫之间，其中所述阻挡层从所述阻挡层的第一侧壁横向延伸到所述阻挡层的第二侧壁，并且其中所述导电凸块横向间隔在所述阻挡层的第一侧壁和第二侧壁之间。

3.如权利要求2所述的集成电路，其中，所述阻挡层将所述导电凸块的下侧罩住。

4.如权利要求2所述的集成电路，还包括：

第一晶种层，所述第一晶种层位于所述阻挡层和所述导电凸块之间且覆盖所述阻挡层，其中所述第一晶种层从所述第一晶种层的第一侧壁横向延伸到所述第一晶种层的第二侧壁，并且其中所述导电凸块横向间隔在所述第一晶种层的第一侧壁和第二侧壁之间。

5.如权利要求4所述的集成电路，还包括：

第二晶种层，所述第二晶种层直接位于所述第一晶种层和所述导电凸块之间且叠加在所述第一晶种层上，其中所述第二晶种层横向间隔在所述第一晶种层的第一侧壁和第二侧壁之间。

6.如权利要求5所述的集成电路，其中，所述导电衬垫包括铜，其中所述第二凸块层包括金，其中所述第一凸块层包括镍，其中所述第二晶种层包括钴，其中所述第一晶种层包括钽或钛，并且其中所述阻挡层包括氮化钽。

7.如权利要求2所述的集成电路，还包括：

晶种层，所述晶种层直接位于所述阻挡层和所述导电凸块之间且叠加在所述阻挡层上，其中所述晶种层具有分别与所述第一凸块层的侧壁对准的侧壁。

8.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述阻挡层是没有水平分段的间隔件，并且其中所述阻挡层形成所述第一凸块层的侧壁的衬里。

9.如权利要求8所述的集成电路，其中，所述阻挡层具有与所述第一凸块层的底部表面相平齐的底部表面。

10.如权利要求8所述的集成电路，其中，所述阻挡层包括氮化钛，其中所述导电衬垫包括铜，其中所述第一凸块层包括镍，并且其中所述第二凸块层包括金。