[发明专利]一种MOS晶体管的制作方法及MOS晶体管在审
| 申请号： | 201711227979.6 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108565212A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 赵劼;田敏;王志刚 | 申请（专利权）人： | 珠海创飞芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李婷婷;王宝筠 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市唐家湾镇大学路1*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种MOS晶体管制作方法及MOS晶体管，所述MOS晶体管制作方法，在离子注入形成源漏极之后，栅极形成之前，对预设区域进行额外离子注入，通过额外的离子注入工艺可以形成更多的非桥键氧，通过后续退火工艺，所述非桥键氧可以扩散到Si/SiO2界面，填补氧空位，从而改善界面的性质，使得界面的陷阱空穴数量减少，从而避免在辐照作用下，出现漏电的情况，提高了高压MOS管的抗辐照能力。 | ||
| 搜索关键词： | 桥键 离子 制作 离子注入工艺 空穴 抗辐照能力 高压MOS管 辐照作用 数量减少 退火工艺 预设区域 栅极形成 漏电 氧空位 源漏极 陷阱 扩散 填补 申请 | ||
【主权项】：
1.一种MOS晶体管制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浅沟槽隔离结构，将所述浅沟槽隔离结构之外的区域作为有源区；在所述有源区上形成栅氧化层；在所述栅氧化层的两侧进行源漏区域的离子注入，形成源极和漏极；对预设区域进行额外离子注入，所述预设区域为相邻两个所述MOS晶体管的栅极之间的所述有源区的一部分，或者所述有源区和所述浅沟槽隔离结构的一部分；在所述栅氧化层上形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
