[发明专利]用于非接触卡类芯片的编程失败自检测电路及自检测方法

摘要

一种用于非接触卡类芯片的编程失败自检测电路及自检测方法，EEPROM电压检测模块实时检测EEPROM编程工作电压，当EEPROM编程工作电压低于设定的EEPROM工作电压阈值时，产生低压中断信号，编程数据比较模块对编程前数据和编程后数据进行比较，如果有任何一位数据的值不相等，则产生数据错误中断信号，载波调制模块若接收到低压中断信号或/和数据错误中断信号，则代表编程失败，调制产生错误载波信号。本发明在非接触卡类芯片内部集成了错误自检电路，在电路实现单元面积代价较小的情况下，提高了EEPROM编程数据的可靠性，提高了非接触通信数据传输的准确性及效率，同时减小了校正数据所用的时间开销。

主权项

一种用于非接触卡类芯片的编程失败自检测电路，其特征在于，包含：EEPROM电压检测模块（220），其输入端连接EEPROM编程电源，该EEPROM电压检测模块（220）持续检测EEPROM编程工作电压，当EEPROM编程工作电压低于EEPROM的工作电压阈值时，产生低压中断信号（101）输出给载波调制模块（710）；数据寄存器模块（310），其输入端输入待编程数据（111），用于对待编程数据进行数据锁存；高压数据缓存器模块（230），其输入端连接数据寄存器模块（310）的输出端，用于缓存数据；EEPROM编程模块（410），其用于产生EEPROM编程操作所需的编程时序控制信号（108）；EEPROM存储模块（210），其输入端连接高压数据缓存器模块（230）的输出端和EEPROM编程模块（410）的输出端，用于根据编程时序控制信号（108）对待编程数据（111）进行编程，并存储编程数据；数据回读模块（510），其输出端连接EEPROM存储模块（210）的输入端，用于产生数据回读控制信号（110），控制读取EEPROM存储模块（210）中存储的数据；数据比较模块（610），其输入端连接数据寄存器模块（310）的输出端和EEPROM存储模块（210）的输出端，用于比较数据寄存器模块（310）输出的数据与EEPROM存储模块（210）输出的数据，如果数据比较结果不一致则产生数据错误中断信号（103）输出给载波调制模块（710）；载波调制模块（710），其输入端连接EEPROM电压检测模块（220）的输出端和数据比较模块（610）的输出端，用于根据接收信号调制产生载波信号，若接收到低压中断信号（101）或/和数据错误中断信号（103），则代表编程失败，产生错误载波信号（105），若未接收到低压中断信号（101）和数据错误中断信号（103），则代表编程成功，产生正常载波信号（104）。